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第五章 半导体存储器 §1 半导体存储器的分类 §2 读写存储器RAM §3 只读存储器 §4 存储器的连接 §5IBM-PC/XT中的存储器，扩展存储器及其管理 §1 半导体存储器的分类 1．RAM的种类：在RAM中，按工艺可分为双极型和MOS型两大类。用MOS器件构成的RAM，可分为静态RAM和动态RAM两种。 2．ROM的种类：1）掩膜ROM；2）可编程的只读存储器PROM；3）可擦除的EPROM；4）电擦除的PROM；5）快速擦写存储器Flash Memory 又称快闪存储器 §2 读写存储器RAM 静态RAM 动态RAM 几种新型的RAM 技术及芯片类型 静态RAM 1．基本存储电路单元 （六管静态存储电路） 2.静态RAM的结构 3．SRAM芯片实例常用典型的SRAM芯片有6116、6264、62256等。 动态RAM 1．动态RAM的存储单元（单管动态存储电路） 几种新型的RAM 技术及芯片类型 1．ECC RAM 2．EDO RAM和突发模式 RAM 3．同步RAM（Synchronous RAM，简称SDRAM） 4．高速缓冲存储器RAM5．RAMBUS内存 6．DDR?SDRAM 7．Virtual Channel Memory（VCM） 8．SLDRAM（Synchnonous?Link?DRAM） §3 只读存储器 一、掩膜ROM 二、可擦除可编程的ROM（EPROM） 三、电可擦可编程ROM(EEROM) 一、掩膜ROM 1．MOS ROM电路 2．双极型ROM电路 双极型ROM速度比MOS ROM的速度要快，它的取数时间约为几十纳秒。因此，双极型ROM适用于对速度要求较高的应用场合。 双极型ROM包括两部分：ROM的基本部分；读取控制部分。 二、可擦除可编程的ROM（EPROM） 1．基本存储电路 2．EPROM实例 三、电可擦可编程ROM(EEROM) 1．Intel 2817的基本特点 2．Intel 2817的工作方式 总结 §4 存储器的连接 一、存储芯片的扩充 二、存储器与CPU的连接 一、存储芯片的扩充 字扩展(地址扩充：在地址单元数量上的扩展） 字位扩展 二、存储器与CPU的连接 （一）、 CPU与存储器的连接时应注意的问题 （二）、 存储器片选信号的产生方式和译码电路 （三）、 CPU（8088系列）与存储器的连接 CPU与存储器的连接时应注意的问题 1. 存储芯片数据线的处理 若芯片的数据线正好8根： 一次可从芯片中访问到8位数据 全部数据线与系统的8位数据总线相连 若芯片的数据线不足8根： 一次不能从一个芯片中访问到8位数据 利用多个芯片扩充数据位 这个扩充方式简称“位扩充” 位扩充 多个位扩充的存储芯片的数据线连接于系统数据总线的不同位数 其它连接都一样 这些芯片应被看作是一个整体 常被称为“芯片组” 2. 存储芯片地址线的连接 芯片的地址线通常应全部与系统的低位地址总线相连 寻址时，这部分地址的译码是在存储芯片内完成的，我们称为“片内译码” 片内译码 3. 存储芯片片选端的译码 存储系统常需利用多个存储芯片扩充容量 也就是扩充了存储器地址范围 进行“地址扩充”，需要利用存储芯片的片选端对多个存储芯片（组）进行寻址 这个寻址方法，主要通过将存储芯片的片选端与系统的高位地址线相关联来实现 这种扩充简称为“地址扩充”或“字扩充” 地址扩充（字扩充） 片选端常有效 地址重复 一个存储单元具有多个存储地址的现象 原因：有些高位地址线没有用、可任意 使用地址：出现地址重复时，常选取其中既好用、又不冲突的一个“可用地址” 例如：00000H～07FFFH 选取的原则：高位地址全为0的地址 ⑴ 译码和译码器 译码：将某个特定的“编码输入”翻译为唯一“有效输出”的过程 译码电路可以使用门电路组合逻辑 译码电路更多的是采用集成译码器 常用的2:4译码器：74LS139 常用的3:8译码器：74LS138 常用的4:16译码器：74LS154 ⑵ 全译码 所有的系统地址线均参与对存储单元的译码寻址 包括低位地址线对芯片内各存储单元的译码寻址（片内译码），高位地址线对存储芯片的译码寻址（片选译码） 采用全译码，每个存储单元的地址都是唯一的，不存在地址重复 译码电路可能比较复杂、连线也较多 全译码示例 ⑶ 部分译码 只有部分（高位）地址线参与对存储芯片的译码 每个存储单元将对应多个地址（地址重复），需要选取一个可用地址 可简化译码电路的设计 但系统的部分地址空间将被浪费 部分译码示例 ⑷ 线选译码 只用少数几根高位地址线进行芯片的译码，且每根负责选中一个芯片（组） 虽构成简单，但地址空间严重浪费 必然会出现地址重复 一个存储地址会对应多个存储单