第二章－迁移率测量-3-SCLC.ppt

* 第二章 有机半导体材料载流子迁移率测试方法 三、空间电荷（导致的）受限电流法（SCLC） Space-Charge-Limited-Current 电极1 有机半导体 电极2 器件结构： 单层有机（发光）二极管， 并加上直流偏压。 有机半导体厚度： 几十纳米～几百纳米。 3.1、器件结构 电极1 有机半导体 电极2 载流子的产生（注入）： 1、Thermoionic or Schottky emission 热离子发射或肖特基发射 在低偏压下占主导。 2、Fowler–Nordheim Tunneling（隧穿） 在高偏压下占主导。 3.2、载流子的产生 载流子注入的种类： 由半导体的HOMO、LUMO 及电极功函共同决定。 常见电极的功函： Au: 5.1 eV, ITO: 4.8, Al: 4.28, Ag: 4.26, Mg: 3.66, Ca: 2.87, Ba: 2.7 典型聚合物的HOMO、LUMO： MEH-PPV：HOMO 5.1, LUMO 2.8 PFO：HOMO 5.8, LUMO 2.8 Au (+)/MEH-PPV/Au (-) hole dominated device 高势垒 Au (+) Au (-) 电子注入存在高势垒 5.1 eV HOMO 5.1 eV LUMO 2.8 eV 无空穴注入势垒 ITO (+)/MEH-PPV/Au (-) hole dominated device 高势垒 ITO (+) Au (-) 电子注入存在高势垒 4.8 eV HOMO 5.1 eV LUMO 2.8 eV 低空穴注入势垒 ITO (+) Al (-) 电子注入存在高势垒 4.8 eV HOMO 5.1 eV LUMO 2.8 eV 低空穴注入势垒 ITO (+)/MEH-PPV/Al (-) hole dominated device 高势垒 Ca (+)/MEH-PPV/Ca (-) electron dominated device 高势垒 Ca (+) Ca (-) 低电子注入势垒 2.9 eV HOMO 5.1 eV LUMO 2.8 eV 高空穴注入势垒 3.3、空间电荷的生成及对电流的贡献 偏压＝ 0，电中性 x 小偏压，少量净电荷 x - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 高偏压，大量净电荷 x 3.3.1、空间电荷的生成 空间电荷 ＝ 自由移动载流子 ＋ 陷阱中的载流子 自由移动载流子浓度通过如下公式直接影响电导率： 陷阱中的载流子浓度主要影响半导体中场强的分布。 因此，半导体中空间电荷的密度将影响半导体二极管中的电流大小。空间电荷密度较大时，二极管中的电流主要由空间电荷的密度来决定，此时二极管中的电流被称为（由）空间电荷限定的电流，电流大小处于SCLC导电区。 Space-Charge-Limited-Current ＝ Current dominated by Space Charge. 3.3.2、空间电荷对电流的贡献 3.4、I-V特性的分区 1、较低电压区：Ohmic conduction regime (欧姆导电区) 电流 J = qn ? V/d where q is the electronic charge, n is the carrier density, ? is the carrier mobility, and d is the sample thickness. 2、较高电压区 1）Pure space-charge limited conduction with no traps (Pure SCLC regime, Pure SCLC导电区) 电流 J = 9/8q ?0 ?r ? V 2 / d 3 (Child’s law) where ?0 is 自由空间电容率 and ?r is 相对介电常数. 2）Space-charge limited conduction with traps 电流 J = 9/8q ?0 ?r ? ? V 2 / d 3 (Mott–Gurney equation)