退耦电容原理 退藕电容的一般配置原则.pdfVIP

退耦电容原理 所谓退耦，既防止前后电路网络电流大小变化时，在供电电路中 所形成的电流冲动对网络的正常工作产生影响。换言之，退耦电路能 够有效的消除电路网络之间的寄生耦合。 退耦滤波电容的取值通常为 47~200μF，退耦压差越大时， 电容的取值应越大。所谓退耦压差指前后电路网络工作电压之差。 如下图为典型的 RC 退耦电路，R 起到降压作用： 大家看到图中，在一个大容量的电解电容 C1 旁边又并联了 一个容量很小的无极性电容 C2 原因很简单，因为在高频情况下工作的电解电容与小容量电容相 比，无论在介质损耗还是寄生电感等方面都有显著的差别（由于电解 电容的接触电阻和等效电感的影响，当工作频高于谐振频率时，电解 电容相当于一个电感线圈，不再起电容作用）。在不少典型电路，如 电源退耦电路，自动增益控制电路及各种误差控制电路中，均采用了 1 大容量电解电容旁边并联一只小电容的电路结构，这样大容量电解电 容肩负着低频交变信号的退耦，滤波，平滑之作用；而小容量电容则 以自身固有之优势，消除电路网络中的中，高频寄生耦合。在这些电 路中的这一大一小的电容均称之为退耦电容。 Re: 大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用 多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等 效串联电感，英文简称 ESL）。 电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。 而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小 （缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电 感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小 ESL 这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号 的阻抗大。 所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采 用一个大电容再并上一个小电容的方式。 常使用的小电容为 0.1uF 的瓷片电容，当频率更高时，还可并 联更小的电容，例如几 pF，几百 pF 的。而在数字电路中，一般要 给每个芯片的电源引脚上并联一个 0.1uF 的电容到地（这个电容叫 做退耦电容，当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好）， 因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以 了。 2 Re: 在电源的输出端并联一个适当的电容，犹如水库的缓冲作用，可 以大大减小负载等的波动对电源的影响，这就是退耦作用。在许多地 方，类似的方法用得很多，总的说可以稳定某处的电位，让波动成分 “消化”在电容之中，别去影响受保护的电路部分. 退藕电容的一般配置原则 由于大部分能量的交换也是主要集中于器件的电源和地引脚，而这些 引脚又是独立的直接和地电平面相连接的。这样，电压的波动实际上 主要是由于电流的不合理分布引起。但电流的分布不合理主要是由于 大量的过孔和隔离带造成的。这种情况下的电压波动将主要传输和影 响到器件的电源和地线引脚上。 为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应该为集成电路芯 片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛刺的影响并减少在印制 板上的电源环路的辐射。 当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电 源层上时，其平滑毛刺的效果最好。这就是为什么有一些器件插座上 带有去耦电容，而有的器件要求去耦电容距器件的距离要足够的小。 去耦电容配置的一般原则如下： ● 电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板 的位置允许，采用 100uF 以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。 3 ● 为每个集成电路芯片配置一个0.01uF 的陶瓷电容器。如遇到印制 电路板空间小而装不下时，可每4～10 个芯片配置一个 1～10uF钽电 解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz 范围内阻 抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA 以下）。 ● 对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM 等存储型 器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。 ● 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。 ● 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会 产生较大火花放电，