[工学]模电第1章 常用半导体器件自动化_11-12-21.pptVIP

N型硅片 P P uGS uDS 2、当uGS为UGS(off)~0V中某一固定值时，uDS对漏极电流iD的影响 由于uDS的存在，则有电流iD从漏极流向源极。 iD 沟道中各点的电位不再相等：沿沟道从源极到漏极逐渐升高。 靠近漏极端的PN结的反偏电压高，源极端的反偏电压低。 耗尽层产生不均匀的变宽： 漏极端宽、源极端窄。 P P 若栅—漏极间不出现夹断区域，沟道电阻基本上决定于栅—源电压uGS。 电流iD将随uDS的增大而线性增大，D—S间呈现电阻特性。 N型硅片 P P uGS uDS uDS的增大使uGD等于UDS(off)时，漏极端的耗尽层就出现夹断区。 P P 称uGD=UDS(off)为预夹断。 若uDS继续增大，耗尽层闭合部分沿沟道方向延伸。 这时，一方面自由电子从源极向漏极定向移动所受阻力加大，从而导致iD减小； 另一方面，随着uDS的增大，使漏—源极间的纵向电场增强，也必然导致iD增大。 实际上，这两种趋势相抵消，uDS的增大几乎全部降落在夹断区，用于克服夹断区对iD形成的阻力。 在uDG＜UGS(off)的情况下，即沟道夹断后，uDS增大时iD几乎不变。 即iD几乎仅仅决定于uGS，表现出iD的恒流特性。 在uDG＜UGS(off)的情况下，对应于确定的uGS，就有确定的iD。 可以通过改变uGS来控制iD的大小。 场效应管是电压控制器件。 场效应管用低频跨导gm来描述动态的栅—源电压对漏极电流的控制作用, 小结： （1）在uGD=uGS-uDS＞UGS(off)的情况下，即沟道没被夹断时，对应于不同的uGS，D-S间等效为不同阻值的电阻。 （2）当uDS使uGD=uGS(off)时，D-S之间预夹断。 （3）当uDS使uGD＜UGS(off)时，漏极电流iD几乎仅仅决定于栅—源电压uGS。 三、结型场效应管的伏安特性 1、输出特性曲线 输出特性曲线是指当uGS为常量时，iD与uDS之间的关系曲线，即 对应于一个uGS，就有一条曲线，因此输出特性曲线为一族曲线。 ID不同rd也将不同 V D + uD - +- ui R + uR - t ui O V D + uD - +- ui R + uR - UD + UR - t uR O UR V D + uD - +- ui R + uR - rd + ur - 1.2.5 稳压二极管（简称稳压管） 稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型二极管。 一、稳压管的伏安特性 正极 负极 DZ rd UZ 正偏时： 反偏时： D rd UZ D DZ I/mA UZ /V O UZ IZ IZM + ? 正向 ? + 反向 ?UZ ?IZ 与普通管一样 击穿段很陡 工作范围 正常工作在反向击穿状态。 二、稳压管的主要参数 （1） 稳定电压 UZ 流过规定电流时稳压管两端的反向电压值。 （2）稳定电流 IZ 稳压管工作在稳压状态时的参考电流。 越大稳压效果越好，小于 Imin 时不稳压。 （3）最大工作电流 IZM 稳压管允许通过的最大反向电流。 （4）最大耗散功率 PZM PZM = UZ IZM （5）动态电阻 rZ rZ = ?UZ / ?IZ 越小稳压效果越好。 （6）温度系数α 表示温度每变化1℃稳压值的变化量，即 α=ΔUz/ΔT 在稳压管电路中必须串联一个电阻来限制电流，以保证稳压管正常工作，这个电阻称为限流电阻。 1.3 晶体三极管 晶体三极管又称双极型晶体管、半导体三极管，简称为晶体管。 325 1.3.1 晶体管的结构及类型 在同一硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成晶体管。 N型硅 B E C N型硅 P型硅 二氧化硅保护膜 N型锗 E C B P P 铟球 NPN型 PNP型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C NPN 型 E C B 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 E C B PNP 型 发射极的箭头表示发射极电流的实际方向。 各区主要作用及结构特点： 发射区：发射载流子 特点：掺杂浓度高 基区：传输载流子 特点：薄、掺杂浓度低 集电区：接收载流子 特点：结面积大 1.3.2 晶体管的电流放