[理学]第五章 BJT版图设计.pptVIP

IC工艺和版图设计 第五章 BJT版图设计 参考文献 本章主要内容 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 BJT工作原理 本章主要内容 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 标准双极小信号晶体管 本章主要内容 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 CMOS工艺中的晶体管 本章重点 在发射区下置入NBL提高基极电流的收集效率，从而增加横向PNP的增益。 标准双极工艺中集电结耗尽层会阻止大部分少子从集电区下方通过，只有很少部分的载流子能够不进入集电区而达到隔离区侧壁。 而CMOS工艺中，由于P+结构成的结较浅，就有可能产生更大的电流损失。 集电极接触 发射极接触 基极接触 金属场板 金属场板可以用于防止寄生沟道的漏电流。 (A)1/2-1/2 (B)1/4-1/4-1/4-1/4 (C)1/6-1/6-1/6-1/4-1/4 分裂集电极横向PNP晶体管制作1：1电流镜 使用大的方形或者圆型发射区会使β值显著减小。将发射区延伸为一个窄条将既拥有非常大的面积而且不会大幅度增加有效基区宽度。 长发射区晶体管的周长和面积以同样的速度增加，由于结侧壁效应、电流集边效应、大注入效应以及各种其它不匹配因素，长发射区晶体管和圆形发射区晶体管将无法进行匹配。可以沿集电区长边设置集电区接触孔以减小集电极电阻。 CH5 标准双极小信号晶体管 可选用的小信号晶体管 CMOS工艺中的晶体管 BJT工作原理 大多数现代模拟工艺都可以归入以下3类：模拟CMOS、功率BiCMOS和高速BiCMOS。 模拟CMOS工艺不能制造BJT，但是至少能提供一种寄生晶体管，通常是衬底PNP。某些工艺加入了浅P阱，所以也能生成横向PNP和浅阱NPN。 功率BiCMOS工艺必须处理大电流或高压，这类工艺大多数能制造NPN和横向PNP管，某些工艺还可以制作其它器件，如扩展基区晶体管和DMOS晶体管。 高速BiCMOS工艺主要制造具有极高速开关速度又具有特殊参数性能的高度优化的双极型器件。 浅阱NPN版图和剖面图 CDI NPN的饱和特性 蓝线表示有深N+侧阱和N+埋层 红线表示没有深N+侧阱和N+埋层 华侨大学信息科学与工程学院 电子工程系 厦门专用集成电路系统 重点实验室 Copyright by Huang Weiwei 华侨大学厦门专用集成电路系统重点实验室 华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室 主讲：黄炜炜 Email：hww@hqu.edu.cn 1 . Alan Hastings著 . 张为 译 . 模拟电路版图的艺术.第二版 . 电子工业出版社 . CH8-9 CH5 标准双极小信号晶体管 可选用的小信号晶体管 CMOS工艺中的晶体管 BJT工作原理 小信号NPN和横向PNP的β随集电极电流的变化曲线 β值下降 雪崩击穿 NPN管的理想VCEO、VCER、VCES曲线轨迹 BJT工作于较高的温度时容易产出热击穿，假设BJT功率管的稳定升高，引发VBE略微下降，由于电压和电流间的指数关系，发射结电流微小增加会引发集电极电流的较大增加，增加的功耗使得晶体管温度升高，导致VBE的进一步下降。如此容易在晶体管内产生稳定很高的“热点”，使器件失效。 热击穿和二次击穿 这种失效经常出现在电压远远小于晶体管标定的VCEO情况下，主要由于集电结的雪崩效应产生。 典型的功率晶体管正向偏置下的安全工作区域 电流限制：金属层和外接引线在不考虑电迁移失效情况下所能承受的最大电流。 电压限制：无须考虑晶体管雪崩情况下能对晶体管施加的最大的电压。 功耗限制：封装中产生更高温度条件下器件的最大功耗。 二次击穿：去除安全工作区域中