[理学]衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响.pdfVIP

第l4卷第5期 功能材料与器件学报 V0L 14．No．5 2008年 l0月 JOURNALOFFUNCT10NALMATERIALSANDDEVICES Oct．，2008 文章编号：1007—4252(2008)05—0911—04 衬底温度对射频磁控溅射制备 HfO2薄膜结构的影响 闫丹 ，吴平 ，邱宏 ，俞必强 ，赵云清 ，张师平 ，吕反修。 (1．北京科技大学应用学院物理系，北京，100083； 2．北京科技大学机械学院，北京，100083； 3．北京科技大学材料与工程学院，北京，100083) 摘要：采用射频磁控溅射法在氧氩比为0．2的混合气氛 中，分别在室温、100oC、2000(2、250oC、 300~C、350℃和400℃温度下，在P—si(100)衬底上制备了HfO 薄膜，并用SEM、XRD和AFM研究 了衬底温度与薄膜沉积速率对微结构的影响。结果表明：随着衬底温度的增加，薄膜沉积速率呈减 小趋势。室温沉积的HfO：薄膜为非晶态，当衬底温度高于 100oC，薄膜出现单斜晶相，随着衬底温 度继续增加，(111)择优取向更加明显，晶粒尺寸增大，薄膜表面粗糙度减小。 关键词 ：射频磁控溅射；HfO：薄膜；衬底温度；微观结构 中图分类号：0484 文献标识码 ：A EffectofsubstratetemperatureonmicrostructuresofHfO2films depositedbyRF magnetron sputtering YANDan，wUPing，QIUHong，YUBi—qiang，ZHAOYun．qing，ZHANGShi—ping，LVFan—xiu (1．SchoolofAppliedScience，UniversityofScienceandTechnologyBeijing，Beijing100083，China； 2．SchoolofMechanicalEngineering，UniversityofScienceandTechnoloyg Beijing，Beijing100083，China； 3。SchoolofMaterialsScienceandEngineering，UniversityofScienceandTechnoloyg Beijing，Beijing100083，China) Abstract：HfO2filmsweregrownonP—Si(100)substratesbyradio~equencymagnetronsputteringusing oxygenandargonmixtureassputteringgas．Theratioofoxygentoargonis0．2．Thesubstratetemperatures areroom temperature，100℃ ，200 ，250℃ ，300oC，350oC and400℃ ，respectively．Influencesof substratetemperatureanddepositionrateonmicrostructuresofthefilmsareinvestigatedbyScanningelec． tronmicroscope，X—n diffractionandAtomicforcemicroscope．Theresultsshowthatdepositionratede。 creaseswiththeincreaseofsubstratetemperature．TheHf02film appears f111)monoclinicorientation whenthesubstratetemperatureincreasesto100℃．Withthesubstrate