《半导体集成电路》课件06 TTL电路.ppt

TTL或非门 TTL与或非门 作 业 P84-85, 4.10 4.12（b） TTL与非门工作原理 ? 输入端至少有一个接低电平 0 .3V 3 .6V 3 .6V 1V 3 .6V T1管:A端发射结导通，Vb1 = VA + Vbe1 = 1V， 其它发射结均因反偏而截止. ? 5-0.7-0.7=3.6V Vb1 =1V,所以T2、T5截止, VC2≈Vcc=5V, T3：微饱和状态。 T4：放大状态。 电路输出高电平为： 5V ? 输入端全为高电平 3 .6V 3 .6V 2.1V 0 .3V T1:Vb1= Vbc1+Vbe2+Vbe5 = 0.7V×3 = 2.1V 因此输出为逻辑低电平VOL=0.3V 3 .6V 发射结反偏而集电极正偏.处于反向放大状态 T2：饱和状态 T3：Vc2=Vces2+Vbe5≈1V， 使T3导通， Ve3=Vc2-Vbe3=1-0.7≈0.3V， 使T4截止。 T5：饱和状态， TTL与非门工作原理 ? 输入端全为高电平，输出为低电平 ? 输入至少有一个为低电平时，输出为高电平 由此可见电路的输出和输入之间满足与非逻辑关系 T1：反向放大状态 T2：饱和状态 T3：导通状态 T4：截止状态 T5：深饱和状态 T2：截止状态 T3：微饱和状态 T4：放大状态 T5：截止状态 TTL与非门工作原理 TTL与非门工作速度 存在问题：TTL门电路工作速度相对于MOS较快，但由于当输出为低电平时T5工作在深度饱和状态，当输出由低转为高电平，由于在基区和集电区有存储电荷不能马上消散，而影响工作速度。 改进型TTL与非门 ?可能工作在饱和状态下的晶体管T1、T2、T3、T5都用带有肖特基势垒二极管（SBD）的三极管代替，以限制其饱和深度，提高工作速度 n-epi P-Si P+ P+ S n+ E p n+ B n+-BL C B 返回 改进型TTL与非门 ? 增加有源泄放电路 1、提高工作速度 由T6、R6和R3构成的有源泄放电路来代替T2射极电阻R3 减少了电路的开启时间 缩短了电路关闭时间 2、提高抗干扰能力 T2、T5同时导通，因此电压传输特性曲线过渡区变窄，曲线变陡，输入低电平噪声容限VNL提高了0.7V左右 TTL“与非”门的静态特性及主要参数 ? 电压传输特性 TTL“与非”门输入电压VI与输出电压VO之间的关系曲线，即 VO = f（VI） 截止区当VI≤0.6V，Vb1≤1.3V时，T2、T5截止，输出高电平VOH = 3.6V 线性区当0.6V≤VI≤1.3V，0.7V≤V b2＜1.4V时，T2导通，T5仍截止，VC2随Vb2升高而下降，经T3、T4两级射随器使VO下降 转折区 饱和区 返回 VIL VOH VIH VOL TTL“与非”门的静态特性及主要参数 ? 抗干扰能力（噪声容限） V IL： 保证输出为标准高电平VOH的最大输入低电平值 VIH： 保证输出为标准低电平VOL的最小输入高电平值 低电平噪声容限V NL： V NL= V IL - VOL 高电平噪声容限V NH： V NH= V IH - VOH TTL“与非”门的静态特性及主要参数 ? 输入特性 输入电流与输入电压之间的关系曲线，即II = f（VI） 假定输入电流II流入T1发射极时方向为正，反之为负 1. 输入短路电流ISD（也叫输入低电平电流IIL） 当VIL = 0V时由输入端流出的电流 前级驱动门导通时，IIL将灌入前级门，称为灌电流负载 2. 输入漏电流IIH（输入高电平电流） 指一个输入端接高电平，其余输入端接低电平，经该输入端流入的电流。约10μA左右 返回 ? 扇入系数Ni和扇出系数NO 1. 扇入系数Ni是指合格的输入端的个数 2. 扇出系数NO是指在灌电流（输出低电平）状态下驱动同类门的个数。 其中IOLmax为最大允许灌电流，,IIL是一个负载门灌入本级的电流（≈1.4mA）。No越大，说明门的负载能力越强 返回 TTL“与非”门的外特性及主要参数 ? 平均传输延迟时间tpd 导通延迟时间tPH：L输入波形上升沿的50%幅值处到输出波形下降沿50% 幅值处所需要的时间， 截止延迟时间tPLH：从输入波形下降沿50% 幅值处到输出波形上升沿50% 幅值处所需要的时间， 平均传输延迟时间tpd： 通常tPLH＞tPHL，tpd越小，电路的开关速度越高。 一般tpd = 10ns～40ns 输入信号VI 输出信号V0 TTL“与非”门的外特性及主要参数 返回 §2-2 其它类型TTL门电路 三态逻辑门（TSL） 集电极开路TTL“与非”门（OC门） 集电极开路TTL“与非”门（OC门） 1 0 该与非门输出低电平，T5导通 ? TTL