《半导体集成电路》课件16 半导体存储器.ppt

第11章 半导体存储器 内容提要 概述 存储器的分类 存储器的容量 存储器的结构 只读存储器（ROM） 非挥发存储器（NVRWM） 随机存取存储器（RAM） 存储容量：存储单元的总数。 1D Memory 结构 2D Memory结构 3D Memory 结构 存储器的构成： 1.存储阵列 2.地址译码器（行和列地址译码器） 3.读写电路 二、只读存储器ROM(Read Only Memory) 2.MOS OR ROM 3.MOS NOR ROM MOS NOR ROM Layout 1 MOS NOR ROM Layout 2 4.MOS NAND ROM MOS NAND ROM Layout1 NAND ROM Layout2 普通OR、NOR、NAND结构缺点 静态功耗大，当输出为低（NOR、NAND）或高（OR）时，存在一个从VDD到GND的静态电流通路。 5.预充式NOR ROM 6.地址译码器 (1).行译码器 行译码器的任务是从存储阵列诸多行中选中所需的行 只读存储器举例 只读存储器举例 三、非挥发性存储器 浮栅晶体管的编程过程 A “Programmable-Threshold” Transistor 2.EEPROM (电可擦除可编程只读存储器) EEPROM的编程过程 EEPROM的擦除过程 EEPROM Cell 3.Flash EEPROM Cross-sections of NVM cells Basic Operations in a NOR Flash Memory―Write Basic Operations in a NOR Flash Memory―Read Basic Operations in a NOR Flash Memory―Erase Characteristics of State-of-the-art NVM 四、读写存储器 (RAM) 1. SRAM CMOS SRAM Analysis (Read) CMOS SRAM Analysis (Write) 6T-SRAM — Layout Resistance-load SRAM Cell SRAM Characteristics (2)差分灵敏放大器（用于SRAM） 2. DRAM 3T-DRAM — Layout 1-T DRAM Cell （3）DRAM中的基于锁存器的灵敏电路 Open bitline architecture with dummy cells（位线断开结构） 作业：P219 10.3 10.7 特点： 1.只能“系统外”擦除，擦除时间长； 2.位密度高，价格低。 Floating gate Source Substrate p Gate Drain n + n + Fowler-Nordheim I-V characteristic 20 – 30 nm -10 V 10 V I V GD 氧化层厚度10 nm 10V 0V 隧道击穿机理 电子注入浮动栅极 移去编程电压后 电荷仍被捕获 5V 5V 编程形成了较高的 阈值电压 0V 10V 隧道击穿机理 电子注出浮动栅极 擦除后恢复 未编程状态 过擦除形成 耗尽型晶体管 0V 10V 问题：标准字线无法关断晶体管 B2读出错误！！ WL BL V DD ? 2 transistor cell 被编程晶体管阈值大于VDD, 相当于开路 未被编程晶体管处于常通状态 WL 控制栅2 浮栅1 VDD e- e- N+ N+ N+ 选择晶体管 BL Gnd FN隧道效应 P－sub 特点： 1.可按位（字节）擦除； 2.每个单元需要2个晶体管，位密度低，价格比EPROM高。 Control gate erasure p- substrate Floating gate Thin tunneling oxide n + source n + drain programming 编程：热电子注入 擦除：隧穿机理 EPROM Flash 特点： 1.须按块擦除； 2. 位密度高，速度快 静态读写存储器 (SRAM) 动态态读写存储器 (DRAM) 存储数据保存时间长 面积大 (6 transistors/cell) 快 需要周期性刷新 面积小 (1-3 transistors/cell) 慢 时序电路的 存储机理？ 0 1 1 0 0 1 × 1 × 静态保持 动态保持 1 1 × 基本SRAM单元和电压传输特性 字线 位线 位线 q q 2 1 WL BL V DD M 5 M 6 M 4 M 1 M 2 M 3 BL Q Q VDD VDD CC CC P208