《固体物理》课件PPT 09 线缺陷.ppt

对于原子的自扩散和晶体中替位式杂质或缺位式杂质的异扩散，一般可以认为是通过空位机制扩散的。 一些元素在Pb中的扩散系数的实验值（285oC） 元素 Pb Sn Fe Ag Au D0 (10-4 m2/s) 4.3 4 5.7 ?10-2 7.5 ?10-2 3.5 ?10-1 Q (kcal/mol) 28.0 26.2 21.0 15.2 14.0 D (10-4 m2/s) 7?10-11 1.6 ?10-10 3.6 ?10-10 9.1 ?10-8 4.6 ?10-6 2. 间隙原子机制 d = a 填隙式杂质在晶体中的扩散一般可认为是通过间隙原子机制扩散的。 实际上，影响扩散系数的因素很多，如晶体的其他缺陷：位错、层错、晶粒间界等都对扩散过程有影响。而各种影响因素主要都是通过影响扩散激活能Q表现出来的。所以，在研究原子的扩散过程中，扩散激活能是一个非常重要的物理量。 在一般情况下，杂质原子的异扩散要比原子自扩散快。这是因为当杂质原子取代原晶体中原子所在的格点位置时，由于两种原子的大小不同，必然会在杂质原子周围产生晶格畸变。因此，在杂质原子周围，容易产生空位，有利于杂质原子的扩散。 §4.4 离子导电性 一、AX型离子晶体中的点缺陷 二、离子在外电场中的运动 ?= 0时，离子晶体中的点缺陷作无规的布朗运动，所以，不产生宏观电流。 ?? 0时，离子晶体中带电的点缺陷在外电场的作用下发生定向迁移，从而产生宏观电流。 空位 正离子空位 （－） 负离子空位 （＋） 间隙离子 正填隙（＋） 负填隙（－） 以正填隙离子为例 设其电荷为q，外电场： 离子在电场中受的力：F=q?，附加电势能：U(x)=－q?x －q?x 0 ? x U(x) q?a/2 E a 离子运动需越过的势垒： 向左： 向右： 离子越过势垒的频率 向右 向左 单位时间内，离子净向右越过势垒的次数： 离子向右运动的漂移速度 弱场条件，即 一般条件下： —— 离子迁移率 估算得： 三、离子导电率 离子定向迁移的电流密度 离子导电率： n：单位体积中正填隙离子数目 填隙离子的扩散系数： —— Einstein关系 离子导电率与温度的关系为 —— Arrhenius关系 Q为离子导电激活能 1/T ln(?T) ln?0 ? 固体电解质或快离子导体：具有较高离子导电性的材料。固体电解质的定义范围要宽一些，而快离子导体一般是指在较低温度下（300 oC以下）具有高离子导电性? 10-3 (?cm)-1 的材料。 RbCu4Cl3I2 在25 oC时 ?＝0.44 (?cm)-1 固体电解质：如 YSZ (yttria stabilized zirconia) 在1000 oC 时 ? ? 10-1 (?cm)-1 快离子导体：如 ?－AgI 在146 oC时 ? ?1 (?cm)-1 Na-?－Al2O3 在300 oC时 ? ? 1 (?cm)-1 二、线缺陷 E F A B 螺位错： 刃位错： 作业：补充 20，21，22 常见的面缺陷：晶粒间界、孪晶界、小角晶界和层错等 三、面缺陷 层错：晶体中的某个原子层发生堆积错误 fcc晶体中的正常堆积次序：···ABCABC ··· 体缺陷，如：空洞、气泡和包裹物等 fcc晶体中的层错: ···ABCABABC ··· §4.2 热缺陷 一、热缺陷的平衡数目 由热力学可知，在等温过程中，当热缺陷数目达到平衡时，系统的自由能取极小值： 空位的平衡数目 晶体中原子总数：N形成一个空位所需能量：u1晶体中所形成的空位数: n1 （N n1 ） 由于晶体中出现空位，系统自由能的改变： 晶体中没有空位时，系统原有的微观状态数为W0， 由于出现空位，系统的微观状态数增加W1， 有：W＝ W0 W1 假设W0和W1相互独立， ， W：系统可能出现的微观状态数 达到平衡时 在N+n1个原子位置中出现n1个空位，其微观状态数为： 于是有 利用Stirling公式，当x很大时，有： 晶体中间隙原子位置的总数：N’形成一个间隙原子所需能量：u2 平衡时晶体中的间隙原子数：n2（设n2 N’） 在一定温度下，间隙原子的平衡数目为： 2. 间隙原子的平衡数目 同理，可求出晶体中Frenkel缺陷的平衡数目为： 其中，nf＝n1＝n2 ，uf＝u1＋u2为形成一个Frenkel缺陷所需的能量。 由于u1 u2 ，uf ，所