半导体制程技术导论2简介.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 干进、干出多研磨头的化学机械研磨(CMP)系统 晶圆装载及等待位置 CMP后段清洁位置 清洗位置 干燥及晶圆卸除位置 多研磨头研磨机 研磨衬垫 清洁机台 研磨头 * 制程区和设备区 制程区 设备区 设备区 制程工具 计算机桌与度量工具桌 服务区 拉门 晶圆装载门 * 测试结果 失效晶粒 * 芯片接合结构 硅芯片 芯片背面金属化 焊接材料 基片金属化 基片(金属或陶瓷) 微电子组件和电路 融熔及 凝固 * 打线接合制程 金属线 形成融熔金属球 接合垫片 接合垫片 接合垫片 紧压使之连结接合垫片 打线头退返 线夹 * 打线接合制程 引线 接合垫片 接合垫片 引线 施压及加热使金属线连结引线 线夹闭合加热以截断金属线 * 带有接合垫片的集成电路芯片 接合垫片 * IC芯片封装 引线端 芯片 接合垫片 * 具有金属凸块的集成电路芯片 凸块 * 覆晶封装 芯片 凸块 插座 引线端 * 凸块接触 芯片 凸块 插座 引线端 * 加热和凸块融熔 芯片 凸块 插座 引线端 * 覆晶封装技术 芯片 插座 引线端 * 塑料封装的封胶空腔截面图 接合线 IC芯片 脚架 Pins 芯片接合金属化 顶部凹槽 底部凹槽 封胶空腔 * 陶瓷封装 陶瓷覆盖层 接合线 IC芯片 引线架, 第1层 引线端 覆盖层 密封金属化 芯片接合金属化 第 2 层 第 2 层 * 概要 整体成品率 成品率决定生产工厂的盈亏 无尘室和无尘室协议规范 制程区间 制程, 设备, 以及设备区 晶粒测试, 晶圆薄化,晶粒分离, 芯片封裝,以及最后测试 * * * * * * * * * * * * * * * * * 作业1 解释晶圆直径、芯片尺寸、芯片密度、边缘芯片数量和制程缺陷密度对晶圆电测成品率的影响 污染控制及无尘室 目标 识别污染在半导体器件及其工艺生产中的三大主要影响。 列出芯片工艺生产中的主要污染源。 定义洁净室的洁净等级。 列举等级分别为100，10 和1的芯片生产区域的微尘密度。 * 污染物分类 颗粒 金属离子 有机物 自然氧化层 静电释放 * Embedded particle Surface contaminant 微颗粒 * Millimeters 1 10-1 10-2 10-3 10-4 10-6 10-7 10-5 10 Atoms Size of single molecules of matter Haze Thin smoke Cloud particles Atmospheric dust Fog particles Sand Dust Pebbles 定义：指能粘附在硅片表面的小物体 问题：颗粒能够引起电路开路或短路，或相邻导体间短路，或成为其它污染物来源 微颗粒 * 经验法则：微粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10倍 检测方法：激光束扫描 ULSI：空气中的分子污染（Airborne molecular containment） 金属离子 * 金属离子 * + + + + + + + + + + + + + + + + + + Source Drain P- silicon substrate Gate N+ N+ -Vs +Vd +Vg Ionic contamination alters the electrical characteristics of a transistor. Conduction of electrons + + Gate oxide Polysilicon + + + + + + + + + + + + + + 降低成品率 PN结上泄漏电流的增加以及少数载流子寿命的减少 MIC能迁移到栅结构中的氧化硅表面，改变开户晶体管所需的阈值电压 MIC性质活泼活泼，在电学测试和运输很久以后沿着器件移动，引起器件在使用期间失效 有机物 定义：指那些包含碳的物质，几乎总是同碳自身及氢结合在一起，有时也和其它元素结合在一起 来源：细菌、润滑剂、蒸气、清洁剂、溶剂等 问题：在特定工艺条件下，微量有机物沾污能降低栅氧化层材料的致密性、表面清洗不彻底，使得诸如金属杂质之类的沾污在清洗之后仍完整保留在硅片表面 * 自然氧化层 * 接触孔底部的自然氧化层在钨塞和掺杂硅区域引起差的电接触 在钨沉积之前，自然氧化层生长在接触孔 钨塞 有源区 层间介质 层间介质 氧化层隔离接触 定义：如果暴露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化 问题：妨碍其他工艺步骤；包含某些金属杂质，从而在硅中转移并形成电学缺陷；金属导体的接触区，