N沟道增强型MOSFET .docVIP

N沟道增强型MOSFET 1、结构和符号 栅极与其他两个电极是相互绝缘的 nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; 间断线表示栅源电压vGS=0时， FET内部不存在导电沟道 箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道) 2、工作原理 （1）栅源电压VGS的控制作用 1）当VGS=0时：漏源间没有导电的沟道，iD=0 nbsp;nbsp;nbsp;nbsp; S、D之间相当于两个背靠背的二极管，故不管VDS极性如何，总有一个二极管是反偏的，无电流流过。 nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp; nbsp;nbsp; nbsp;2）当vGS gt;0时，产生电场，排斥空穴，吸引电子，电子与空穴相复合形成耗尽层。 nbsp;nbsp;nbsp; 3）当vGS 增大到某一个值（开启电压VT）时， 电场吸引更多电子到衬底表面，形成N型导电薄层，称为反型层。即vGS=VT时，导电沟道开始形成。 nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; 4）vGS gt; VT 后：vGS ↑→沟道厚度 ↑→沟道电阻↓→ID↑, 实现了电压控制电流。 nbsp;nbsp;nbsp; 这种在VGS=0时没有导电沟道，只有当VGS＞VT后才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。 （2） vDS对 iD的影响 nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; nbsp; 设vGSgt;VT 且为一常数 电位 S ← Dnbsp;nbsp; S ← D nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp; 低←高nbsp; 宽 ←窄 VDS = VGS- VT 有导电沟道的条件 vGD= vGS-vDS gt; VT vDSlt; vGS- VT vDS↑→rDS↑(慢)→iD↑ 当VDS继续增加，满足 VGD= VGS-VDS =VT时，漏端导 电沟道开始夹断，称为预夹断。 VDS = VGS- VT .预夹断后，iD几乎不变 3、特性曲线 （1）输出特性 nbsp; VGS lt; VＴ全夹断状态 nbsp;( 2 ) 转移特性nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp;nbsp; nbsp;