称光电效应.ppt

形成光生电动势，内部I（光生电动势）IP由N→P，光生电动势使P与N区间出现正向V产生正向注入I，方向P→N，根据PN加V导电机理，流过PN结I： IsPN结反向饱和I； e电子电荷； 光辐射照在PN结，产生光生电动势，相当PN结两端加正向V，PN结势垒由eVD↓eVD-eV。 EC EE EV 内部电流Ip 正向注入I 光电导效应 光伏效应 外光电效应（光电子发射） 内光电效应（光电导效应与光伏效应） 光电效应 光热效应 §5-4 光辐射的探测方法 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-1 物质中的光吸收 PN结有外接回路，流经外回路总I与光生I和结I关系： 流经外回路总I=光生I―流过PN结I； V是PN结两端V（包括外加V或光生V）。 流过PN结I PN结反向饱和I 光生I 流经外回路总I 流过PN结I 光电导效应 光伏效应 外光电效应（光电子发射） 内光电效应（光电导效应与光伏效应） 光电效应 光热效应 §5-4 光辐射的探测方法 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-1 物质中的光吸收 PN结开路，I=0，开路V： Voc与Ip（光生I）非线性关系。有负载接入外回路，I, PN结端V： PN结短路，V=0，短路I是光I： 无光照，Ip=0，外加正向V： 半导体二极管I。 光伏效应，与光照联系少数载流子行为，少数载流子寿命短，以光伏效应为基础探测器件比以光电导效应的有更快响应速度。 流经外回路总I 光照射产生电量 光电导效应 光伏效应 外光电效应（光电子发射） 内光电效应（光电导效应与光伏效应） 光电效应 光热效应 §5-4 光辐射的探测方法 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-1 物质中的光吸收 物质受光照，T变化→性质变化——光热效应。 光电效应——光子能量→光电子能量， 光热效应——光能量与晶格作用，振动加剧，T↑。 光与不同材料、结构光热器件作用→特性变化，引起热效应： 热释电效应 测辐射热计效应 温差电效应 称光电效应、光敏效应，光照变化引起半导体电导变化现象。 光电导效应是光照射到某些物体上，引起电性能变化光致电改变现象总称。 光电效应 光热效应 §5-4 光辐射的探测方法 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-1 物质中的光吸收 介质极化强度随T变化，引起表面电荷变化——热释电现象。 原子或分子中正、负电荷位置： 非极性晶体，分子正负电荷中心对称，重合； 分子正、负电荷非中心对称，重心重合，无极化现象； 正、负电荷重心不重合，极化，外E撤销，自发极化，晶体——极化晶体（对照磁性材料自发磁化） ① ② ③ 分子正负电荷中心对称重合 正、负电荷非中心对称，重心重合 正、负电荷重心不重合 ± +? + ? 热释电效应 测辐射热计效应 温差电效应 §5-4 光辐射的探测方法 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-1 物质中的光吸收 光电效应 光热效应 自发极化：⊥极化方向晶体两表面出现大小相等、符号相反面束缚电荷，图a； 束缚面电荷密度=自发极化强度P。面束缚电荷不能长久保持在表面，被周围自由电荷中和，稳定状态无法测出。 光照物质，能量被吸收致物质T↑，电偶极子热运动加剧，P变化： 光辐射强度变化→物质T变化→P变化。 热释电效应 测辐射热计效应 温差电效应 §5-4 光辐射的探测方法 §5-3 光辐射探测过程中的噪声 §5-2 光探测的基本物理效应 §5-1 物质中的光吸收 光照射 自 发 极 化 强 度 光电效应 光热效应 响应过程很快，自发极化驰豫需10-12s，即使光辐射较高，P能跟上变化。 自由电荷中和极化电荷过程长，数s甚至更长，保证表征光辐射信息P在被中和前被测量到。 动态测量。 光照射 自 发 极 化 强 度 热释电现象，T重要， T低，P大，晶体表面感应电荷↑； T高，P小，晶体表面感应电荷↓(b), 相当释放电荷——热释电名称