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交叉效应对光栅光调制器阵列的影响-光学精密工程
第 卷 第 期 光学 精密工程
17 8
Vol.17 No.8
O ticsandPrecisionEnineerin
年 月 p g g
2009 8 Au.2009
g
文章编号 ( )
1004924X200908179008
交叉效应对光栅光调制器阵列的影响
金 珠,温志渝,张智海,黄尚廉
( 重庆大学 新型纳米器件与系统技术国家重点学科实验室,重庆 ;
1. 400044
2.重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室,重庆 400044)
摘要:为了讨论交叉效应对无源矩阵驱动的光栅光调制器的影响,建立了无源矩阵驱动光栅光调制器的电学模型。介绍
了光栅光调制器的工作原理和驱动电压。利用基尔霍夫的电流定理和电压定理,对该无源矩阵驱动阵列的电学模型进
行化简分析,得到了交叉效应中半选点像素、非选点像素与全选点像素之间的电压关系。实验测得器件的驱动电压,并
对加工的阵列器件进行交叉效应验证,得到这 种像素的 级衍射光强与全选点像素驱动电压的关系。最后,提出两
3 ±1
种抑制交叉效应的方法。实验结果显示:光栅光调制器的工作电压为 8V,吸合电压约 8.5V时;对于加工的 16×16阵
列,半选点像素电压约为全选点像素电压的 /,且远大于非选点像素电压,结论与交叉效应理论分析一致。结果表明:
12
交叉效应会降低阵列的光学对比度和光利用率,而器件较低的驱动电压有利于与有源矩阵电路实现单片集成,消除器件
的交叉效应。
关 键 词:微机电系统;光栅光调制器;交叉效应;无源矩阵驱动
中图分类号: ; 文献标识码:
TN256TN761 A
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