交叉效应对光栅光调制器阵列的影响-光学精密工程.PDF

第 卷 第 期 光学 精密工程 １７ ８ 　 Ｖｏｌ．１７ Ｎｏ．８ 　 　 　　 　　　　　　 Ｏ ｔｉｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ 　　　 　　　 　 年 月 　 ｐ ｇ ｇ ２００９ ８ Ａｕ．２００９ 　 　 　 ｇ 文章编号 （ ） １００４９２４Ｘ２００９０８１７９００８ 　 交叉效应对光栅光调制器阵列的影响 金 珠，温志渝，张智海，黄尚廉 　 （ 重庆大学 新型纳米器件与系统技术国家重点学科实验室，重庆 ； １． ４０００４４ ２．重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室，重庆 ４０００４４） 摘要：为了讨论交叉效应对无源矩阵驱动的光栅光调制器的影响，建立了无源矩阵驱动光栅光调制器的电学模型。介绍 了光栅光调制器的工作原理和驱动电压。利用基尔霍夫的电流定理和电压定理，对该无源矩阵驱动阵列的电学模型进 行化简分析，得到了交叉效应中半选点像素、非选点像素与全选点像素之间的电压关系。实验测得器件的驱动电压，并 对加工的阵列器件进行交叉效应验证，得到这 种像素的 级衍射光强与全选点像素驱动电压的关系。最后，提出两 ３ ±１ 种抑制交叉效应的方法。实验结果显示：光栅光调制器的工作电压为 ８Ｖ，吸合电压约 ８．５Ｖ时；对于加工的 １６×１６阵 列，半选点像素电压约为全选点像素电压的 ／，且远大于非选点像素电压，结论与交叉效应理论分析一致。结果表明： １２ 交叉效应会降低阵列的光学对比度和光利用率，而器件较低的驱动电压有利于与有源矩阵电路实现单片集成，消除器件 的交叉效应。 关 键 词：微机电系统；光栅光调制器；交叉效应；无源矩阵驱动 　 　 中图分类号： ； 文献标识码： ＴＮ２５６ＴＮ７６１ Ａ 　　 犐狀犳犾狌犲狀犮犲狅犳犮狉狅狊狊狋犪犾犽犲犳犳犲犮狋狅狀 狉犪狋犻狀 犾犻犺狋犿狅犱狌犾犪狋狅狉犪狉狉犪 犵 犵 犵 狔 ， ， ， ＪＩＮＺｈｕ ＷＥＮＺｈｉｕ ＺＨＡＮＧＺｈｉｈａｉＨＵＡＮＧＳｈａｎｌｉａｎ ｙ ｇ （ ／ ， １．犓犲 犇犻狊犮犻犾犻狀犲犔犪犫狅狉犪狋狅狉 狅 犖犲狑犕犻犮狉狅犖犪狀狅犇犲狏犻犮犲狊犪狀犱犛狊狋犲犿狊 狔 狆 狔 犳 狔 ，