Wire Bonding技术入门 20091113PPT.ppt

CONFIDENTIAL Wire Bonding 技術入門 Wire Bonding原理 Bonding用 Wire Bonding用 Capillary 焊接时序圖 BSOBBBOS Wire bonding loop(線弧) Wire bond不良分析 Prepared by: 神浩 Date: Nov. 11th, 2009 Wire Bonding------引線鍵合技術 Wire Bonding的作用 電路連線，使晶片與封裝基板或導線框架完成電路的連線，以發揮電子訊號傳輸的功能 Wire Bonding的分類 按工藝技術： 1.球形焊接（ball bonding) 2.楔形焊接 (wedge bonding) 按焊接原理： 1.熱壓焊 300-500℃ 無超聲 高壓力 引線：Au 2.超聲焊 室溫 有超聲 低壓力 引線： Al、 Au 3.熱超聲焊 100~150℃ 有超聲 低壓力 引線：Au IC封裝中電路連接的三種方式： 倒裝焊（Flip chip bonding) 載帶自動焊（TAB---tape automated bonding) 引線鍵合（wire bonding) 1．Wire Bonding原理 Wire Bonding的四要素： Time(時間） Power(功率） Force(壓力） Temperature（溫度） 熱超聲焊的原理： 对金属丝和压焊点同时加热加超声波，接触面便产生塑性变形，并破坏了界面的氧化膜，使其活性化，通过接触面两金属之间的相互扩散而完成连接。 2．Bonding用 Wire Au WIRE 的主要特性： 具有良好的導電性，僅次於銀、銅。 电阻率（μΩ?ｃｍ）的比較 Ag（１．６）＜Cu（１．７）＜Au（２．３）＜Al（２．７） 據有較好的抗氧化性 。 據有較好的延展性，便於線材的制作。常用Au Wire直径为23μｍ，25 μｍ，30 μｍ 具有对熱压缩 Bonding最适合的硬度 具有耐樹脂 Mold的應力的機械強度 成球性好（經電火花放電能形成大小一致的金球） 高純度（4N：99.99%） 　 3．Bonding用 Capillary Capillary主要的尺寸： H：Hole Diameter (Hole径) T：Tip Diameter B：Chamfer Diameter(orCD) IC：Inside Chamfer IC ANGLE：Inside Chamfer Angle FA：Face Angle (Face角) OR：Outside Radius H WD Hole径（Ｈ） Hole径是由规定的Wire径ＷＤ（Wire Diameter) 来決定 H=1.2~1.5WD Capillary的選用： Capillary尺寸對焊線品質的影響： Chamfer径（ＣＤ） Chamfer径过于大的话、Bonding強度越弱，易造成虛焊. CD CD Chamfer角（ICA ） Chamfer角：小→Ball Size：小 Chamfer角：大→Ball Size：大 CD CA:70(Degree) MBD Smaller CD – Smaller MBD CD CA:120(Degree) MBD Bigger CD – Bigger MBD Chamfer Angle：90° Chamfer Angle：120° 将Chamfer角由90°变更為120°可使Ball形状变大，随之Ball的宽度变宽、与Pad接合面積也能变宽。 2nd Neck部 Crack発生 荷重过度附加接触面导致破损　　→Hill Crack発生 OR（Outer Radius）及FA（Face Angle）： 对Hill Crack、Capillary的OR（Outer Radius）及FA（Face Angle）的數值是重要影響因素 FA（Face Angle）0°→8°變更 FA 0°→8°的變更並未能增加Wire Pull的測試強度，但如下图所示，能夠增加2nd Neck部的穩定性。 　 FA：0° FA：8° 次序 动作 1 焊头下降至第一焊点之搜索高度 2 第一焊点之搜索 3 第一焊点的接触阶段 4 第一焊点的焊接阶段 5 返回高度 6 返回距离 7 估计线长高度 8 搜索延迟 9 焊头下降至第二焊点之搜索高度 10 第二焊点之搜索 11 第二焊点的接触阶段 12 第二焊点的焊接阶段 13 线尾长度 14 焊头回到原始位置 4.焊接时序圖 焊头動作步驟 焊头在打火高度( 复位位置 ) 线夹