第2章 电力电子2.ppt

典型全控型器件 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管 （Gate-Turn-Off Thyristor —GTO） 晶闸管的一种派生器件。 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。 门极可关断晶闸管 1. GTO的结构和工作原理 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。 门极可关断晶闸管 工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用图2-8所示的双晶体管模型来分析。 门极可关断晶闸管 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： 门极可关断晶闸管 由上述分析可以得到以下结论： GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使 IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流。当IA和IK的减小使?1+?21时，器件退出饱和而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 门极可关断晶闸管 2. GTO的动态特性 开通过程：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr。 门极可关断晶闸管 关断过程：与普通晶闸管有所不同 抽取饱和导通时储存的大量载流子——储存时间ts，使等效晶体管退出饱和。 等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下降时间tf 。 残存载流子复合——尾部时间tt 。 门极可关断晶闸管 3. GTO的主要参数 门极可关断晶闸管 最大可关断阳极电流IATO 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 GTR的结构和工作原理 ?不存在少子储存效应，因而其关断过程是非常迅速的。 ?开关时间在10~100ns之间，其工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 ?在开关过程中需要对输入电容充放电，仍需要一定的驱动功率，开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 绝缘栅双极晶体管 IGBT GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。 绝缘栅双极晶体管 1. IGBT的结构和工作原理 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 绝缘栅双极晶体管 其他新型电力电子器件 MOS控制晶闸管MCT ■MCT（MOS Controlled Thyristor）是将MOSFET与晶闸管组合而成的复合型器件。 ■结合了MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点。 ■由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 ■其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 静电感应晶体管SIT ■是一种结型场效应晶体管。 ■是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。 ■栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便，此外SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 静电感应晶闸管SITH ■可以看作是SIT与GTO复合而成。 ■又被称为场控晶闸管（F