第5章 工艺仿真工具(DIOS)的优化使用.ppt

下图展示了相同工艺条件下，用5种扩散模型形成的掺杂剖面，从图中可以看出Equilibrium模型和Conventional模型形成的剖面非常接近，而Looselycoupled模型、Semicoupled模型、Pairdiffusion模型形成的剖面非常接近，而且形成的剖面掺杂比前两个模型更均匀。 */38 * 浙大微电子 */38 五种扩散模型的仿真结果对比图 * 浙大微电子 本章内容 网格定义 工艺流程模拟（虚拟制造） 结构操作及保存输出 */38 * 浙大微电子 结构操作主要包括当前结构的左右对称操作以 及上下翻转操作，前者主要是在仿真左右严格对称 的结构时只仿真其中的一半，之后再进行左右对称 操作，形成完整的结构，如后面两张图片所示。后 者主要是在一些特定工艺下需要背部的工艺操作， 这时候需要将整个结构进行上下翻转。 */38 * 浙大微电子 */38 NMOS的右半结构 * 浙大微电子 */38 镜像对称后的整个NMOS结构 * 浙大微电子 */38 * 下图是将前图的结构上下翻转后，再进行背部 离子注入和退火后的仿真结果。 浙大微电子 * */* 浙大微电子 浙大微电子 浙大微电子 第5章 工艺仿真工具（DIOS）的优化使用 本章内容 网格定义 工艺流程模拟（虚拟制造） 结构操作及保存输出 */38 * 浙大微电子 本章内容 网格定义 工艺流程模拟（虚拟制造） 结构操作及保存输出 */38 * 浙大微电子 整体准则 在离子注入区域、PN结区域、表面区域等电流相对 集中的区域或材料边界区域定义细致的网格以提高精度， 在器件底部（有背部工艺例外）等较为无关紧要的区域定义 粗糙的网格，以减少网格结点数，节省仿真时间。 网格定义 初始网格的建立 仿真过程中网格的优化 */38 * 浙大微电子 初始网格如果建立不好，可能会在后续仿真中逐 渐变差，最后得到的结构和实际相去甚远。 针对N+改进型横向SCR的一个初始网格设置， 语句描述为： Grid（X（0,15.2），Y（-4.0,-1.3,0），NX=15，NY=（4,20）） 当器件结构在同一Y坐标下，X方向上任意一点 所包含的信息完全相同时，DIOS默认用一维仿真， 如图所示。 */38 * 初始网格建立不好 浙大微电子 */38 * 初始网格建立不好 浙大微电子 在STI工艺步骤之后，同一Y坐标下，X方向上任意一点所包含的信息已经不完全相同，DIOS转向二维仿真。产生很多杂乱的三角形网格，如图所示。 */38 * 浙大微电子 */38 * 最后得到的仿真结果如图所示，与实际相去甚远，N+注入区、P+注入区、N阱PN结边界都产生了很多尖角，而且N+注入区和P+注入区的结深都已经超过STI的深度，显然不对，而且这种边界如果导入器件模拟软件中进行仿真，很容易产生不收敛问题。 浙大微电子 要解决上述问题，只要在网格定义之前添加一句关闭一维仿真，对齐网格的语句： Replace(Control(1D=off,ProtectAxisAligned=1)) 如此定义之后，STI工艺完成后的网格如图所示，不再有前面图中杂乱的三角形网格。 */38 * 浙大微电子 */38 * 浙大微电子 采用如下比较粗糙的初始网格设置仿真器件结 构N+_MLSCR： Grid(X(0,15.2), Y(-4.0, 0), nx=2) 仿真结果如图所示，N阱的结深约为1.6 μm。 */38 网格定义得过疏所导致的错误 * 浙大微电子 相同工艺条件下，采用如下比较细致的初始网格设置： Replace(control(1D=off,ProtectAxisAligned=1)) Grid((X(0,7.3,7.9,15.2), Y(-4.0,-1.3, -0.3,0,1.5),NX(10,6,10),NY(4,10,10,3))) 仿真结果如图所示，N阱的结深为1.1μm。 */38 * 浙大微电子 这种现象比较隐蔽，通常会被忽视， 所以在网格定义初始就要有这种意识，从而避免这一种错误。为保险起见，最好在拿到一个新工艺之后，首先用一个足够密的网格跑完整个程序，确定各个关键参数值。之后的器件结构仿真如果出现差别较大的结深，则需要加密网格。 */38 * 浙大微电子 本章内容 网