第9章 金属化与多层互连.ppt

集成电路制造工艺 东华理工大学 彭新村 xcpeng@ecit.cn第9章 金属化与多层互连 IC中金属的分类 IC中的金属 IC中的金属 §9.1 集成电路对金属化材料的要求 与n+，p+硅或多晶硅能形成低阻的欧姆接触，能提供低阻互连引线，以提高电路速度 长时期在较高电流密度负荷下，抗电迁移能力要好 与绝缘体有良好的附着性 耐腐蚀 易于淀积和刻蚀 易于键合，且键合点能经受长期工作 多层互连要求层间绝缘性要好，不互相渗透和扩散 晶格结构和外延生长特性的影响 一般为单晶或多晶 晶格常数失配因子决定着接触特性 外延生长可有效减少缺陷，得到接触良好的异质外延金属薄膜 电学特性 电阻率 电阻温度系数 功函数 与半导体接触的肖特基势垒高度 机械、热力学以及化学反应特性 固有应力和热应力 扩散稳定性 §9.2 铝在IC中的应用 铝作为互连金属材料的优点： 应用最广泛的互联材料 电阻率低，2.7uΩ?cm 与n+和p+硅或多晶硅的欧姆接触电阻低，10－6 Ω/cm2 与硅和磷硅玻璃的附着性很好 易于淀积和刻蚀 铝作为互连金属材料的缺点： Al/Si接触的尖楔现象 在较大的电流密度下的电迁移现象 金属铝膜的制备方法 真空蒸发法（电阻加热、电子束加热） 溅射法（台阶覆盖性能好） CVD法（填缝能力强） Al/Si接触中的几个物理现象 Al-Si相图： Al在 Si中的溶解度非常低，而Si在Al中的溶解度却比较高，因而硅会向铝中迁移 Si在Al中的扩散系数： Si在Al膜内的扩散系数远大于在晶体铝内的扩散系数，扩散距离远，单位面积消耗大 Al与SiO2的反应： 3SiO2+4Al 3Si+2Al2O3 消耗掉表面氧化膜，增加黏附性 Al/Si接触中的尖楔现象 Al/Si接触中的尖楔现象 硅向铝中扩散，同时铝也向硅中扩散，形成尖楔，可能会造成pn结失效 Al/Si接触的改进 Al-Si合金金属化引线（铝中加入1%~4%的硅，同时存在硅的分凝问题） 铝－掺杂多晶硅双层金属化结构（多晶硅提供溶解于铝中而消耗的硅） 铝－阻挡层结构（PtSi, CoSi作为欧姆接触层，TiN,TaN作为阻挡层） 减小铝的体积（Al/阻挡层/Al-Si-Cu三层夹心结构） 降低硅在铝中的扩散系数（铝中掺氧或Al2O3） 电迁移现象及其改进方法 电迁移现象的物理机制： 大电流密度通过导体时，导体原子将收到导电电子的碰撞，从而导致导体原子沿电子流的方向迁移。结果在一个方向上形成空洞，而在另一个方向则由于铝原子的堆积而形成小丘，从而会造成断路和短路失效现象。 铝的制备方法 PVD： 溅射、蒸发 表面无化学反应 较差的台阶覆盖和填缝性能（ ～15％） 高质量，高纯度的淀积薄膜，电导率较高 容易淀积合金 CVD： Al(CH3)2H LPCVD 表面有化学反应 更好的台阶覆盖和填缝性能（ 50％～100％） 淀积薄膜纯度较差，电导率较低 不容易淀积合金 §9.3 铜在IC中的应用 Cu作为互连材料的优点： 更低的电阻率：1.7uΩ?cm，减小引线的宽度和厚度，减小分布电容，降低了功耗并提高集成电路的密度 降低了互连引线的延迟，提高器件速度 抗电迁移性能好，可靠性高 没有尖楔现象 Cu作为互连材料的缺点： 缺乏有效的刻蚀金属铜的手段 铜在硅和二氧化硅中的扩散系数大，容易造成金属污染 铜与二氧化硅的黏附性较差 Cu作为互连材料的工艺流程： ——Dual Damascene 双大马士革工艺 互连引线的延迟时间： RC常数： R=(ρl)/(ωtm) C=(εωl)/tox RC=(ρεl2)/(tm tox) 双大马士革（ Dual Damascene ）工艺流程 预清洗 刻蚀沟槽或通孔 PVD淀积阻挡层（Ta或者TaN） PVD或者CVD淀积铜籽晶层 电化学镀制备铜体相层，填满通孔或沟槽 热退火提高电导率 CMP去除沟槽或通孔之外的铜 双大马士革（ Dual Damascene ）工艺流程 电镀铜（Electrochemical Plating，ECP） 其他IC中常用的金属 Ti（Titanium）钛 Ti作为接触层，能有效去除氧，避免形成铝或钨的氧化物，降低接触电阻； TiSi2作为最常用的接触材料，常采用Ti的硅化物自对准工艺； TiN能作为扩散阻挡层，有效防止铝或钨向衬底扩散，还可以作为粘附层，提高钨与SiO2的粘附能力； TiN可作为抗反射涂层（ARC），减少金属层在光刻工艺中的对光的反射。 W（Tungsten）钨 一般采用WF6作为反应剂，用CVD的方法制备 作为填充接