模电课件 13第四章 场效应管.ppt

模电课件 * 4．3 场效应管放大电路 三种组态 D G S 共源CS组态 S G D 共漏CD组态 G S D 共栅CG组态 （a） 自偏压共源放大电路 S D G C1 RS CS Rs RG RD ED C2 RL + uo - + uS - D S RS CS Rs G C1 R2 RD ED C2 RL + uo - + uS - R1 R3 （b） 分压式自偏压共源放大电路 4．3．1 共源放大器 1．FET的直流偏置及静态分析 （a） 自偏压共源放大电路 S D G C1 RS CS Rs RG RD ED C2 RL + uo - + uS - S D G RS RG RD ED + US - ID IG=0 IG = - US = - IDRS UGS=UG - US URG=0即UG=0。 + URG - UGS与UDS极性相反，（即UGS为负偏压），所以，自给偏压电路只适用于JFET和耗尽型MOSFET UGS= - IDRS 自给偏压电路不适用于增强MOS型管 漏源电压为 UDS=ED-ID（RD+RS） US =IS RS ↑→ UGS = -IS RS ↓ →ID ↓ T↑→ ID ↑→ RS稳定工作点 RS↑→稳定 ↑ uGS iD （2）分压式自偏压电路 D S RS CS Rs G C1 R2 RD ED C2 RL + uo - + uS - R1 R3 RS↑→稳定性 ↑ RS↑→ ID ↓ UGS=UG - US ED D S RS G R2 RD R1 R3 UG + URS - gm↓ → Au ↓ 适用于JFET和耗尽型MOSFET，又适合于增强型MOSFET UDS=ED-ID（RD+RS） ID IG 例4．3．电路如图所示，R1=2MΩ，R2=47kΩ，R3=10 MΩ，RD=30kΩ，RS=2 kΩ，ED=18V，FET的UGS（off）= -1V，IDSS=0．5mA，试确定Q点。 ED D S RS G R2 RD R1 R3 UG ID UDS=ED-ID（RD+RS） 解出ID1=1.59mA ID2=0．3 mA IDSS=0．5mA 不合理舍去 故ID= =8.1V 作业：P166 4.5 4.6 UDS=UDD-ID RS 2．应用小信号模型法分析FET放大电路 （1）FET的小信号模型 G D G S D S rds gmugs S + uds - + ugs - FET低频小信号线性模型 ig id 当FET工作在高频段时， D G S D S rds gmugs S + uds - + ugs - Cgd Cgs Cds Cgd G Cgs Cds FET高频小信号线性模型 RL + uo - （2）CS放大电路的动态分析 D S RS CS Rs G C1 R2 RD ED C2 RL + uo - + uS - R1 R3 G D rds gmugs S S + ugs - ig id R1 R2 R3 Rs + uS - RD ii io + ui - RL + uo - G D rds gmugs S S + ugs - ig id R1 R2 R3 Rs + uS - RD ii io + ui - (1)电压增益 RL= RD// RL 当rds RL时 输出输入电压反相 (2)电流增益 RL + uo - G D rds gmugs S S + ugs - ig id R1 R2 R3 Rs + uS - RD ii io + ui - 令RG= R3+ R1// R2 Au io (3)输入电阻 RL + uo - G D rds gmugs S S + ugs - ig id R1 R2 R3 Rs + uS - RD ii io + ui - Ri=RG= R3+ R1// R2 Ri (4)源电压增益 (5)输出电阻 ugs=0 gmugs=0 + ugs - Ro *