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8.2 动态浮接闸级之 ESD 防护技术防护技术 在这个子节中，我们将介绍一种静电放电防护技术我们将介绍一种静电放电防护技术─ 『动态浮接闸级之ESD 防护技术防护技术』。 在一完整的细胞元件库中在一完整的细胞元件库中，输出驱动级(output buffer) 的推动能力有不同的输出电流规格的推动能力有不同的输出电流规格，常见的输出电流规格 是 2mA 、4mA 、8mA、12mA12mA、以及24mA 等，其相对应的 输出驱动级电晶体之元件尺寸也跟着大小变化输出驱动级电晶体之元件尺寸也跟着大小变化。但在建立 一完整的细胞元件库时，每一每一 I/O cells 的佈局面积一般都是 固定的高度与宽度，以方便整颗以方便整颗IC 在自动合成时的自动化 作业，因此不同输出电流规格的输出驱动级皆具有相同的因此不同输出电流规格的输出驱动级皆具有相同的 佈局面积与佈局方式。为了变化成不同的输出电流为了变化成不同的输出电流，输 驱动级电晶体之元件佈局一般是画成手指状驱动级电晶体之元件佈局一般是画成手指状(finger style)， 如图 8.2-1(a)所示，再利用改变接到前控制级再利用改变接到前控制级(pre-buffer)的 手指数目来调变输出电流的大小手指数目来调变输出电流的大小。例如，手指状佈局的电 晶体元件每一手指的输出电流是设计成输出电流是设计成 2mA，如果一输 驱动级需要 8mA 的输出电流的输出电流，只要把4 根手指闸极接到前 控制级即可，然后把其他不需使用然后把其他不需使用 NMOS 手指闸极接地以 关闭多馀的手指状电晶体元件关闭多馀的手指状电晶体元件，其等效电路如图 8.2-1(b)中 所示，其中Mn1 是用来当提供输出电流的电晶体元件是用来当提供输出电流的电晶体元件， Mn2 是相对多馀的手指状电晶体元件是相对多馀的手指状电晶体元件。利用改变手指闸极 的连接方式，即可产生不同输出电流规格的输出驱动级设即可产生不同输出电流规格的输出驱动级设 计，因其具有相同的佈局面积与佈局方式因其具有相同的佈局面积与佈局方式，很适合应用于 标准的细胞元件库中。 图 8.2-1(a) 图 8.2-1(b) 但为提昇 I/O cells 的静电放电防护能力的静电放电防护能力，图 8.2-1 中所 示之 Mn2 电晶体的手指闸极被加上了传统的闸极耦合电晶体的手指闸极被加上了传统的闸极耦合(gate -coupled)设计，其等效电路如图其等效电路如图 8.2-2 中所示。 图 8.2-2 以期望该相对多馀的 Mn2 电晶体能够协助提昇整个I/O cell 的静电放电防护能力。在较小输出电流的输出驱动级内 ，Mn1(Mp1)具有相对较小的元件尺寸，但Mn2(Mp2)具有相 对较大的元件尺寸，在静电放电情形下如果大尺寸的Mn2( Mp2)能够及时导通来排放静电放电电流，则整个输出驱动 级的静电放电防护能力能够被有效地提昇，因此在6.4.1 节 的闸极耦合技术被应用来促使大尺寸的Mn2 (Mp2)能够被及 时导通来排放静电放电电流，其设计如图 8.2-2 所示。但其 人体放电模式(HBM)之静电放电耐受能力显示于表 8.2-1 中。 表 8.2-1 不同输出电流规格的输出驱动级具有不同的静电放电 耐受能力，虽然其中每一输出驱动级佈局内Mn1+Mn2(Mp1 +Mp2)的元件总尺寸是一样的，但2-mA 输出驱动级的人体 放电模式静电放电耐受能力却只有 1000 ~ 1500V 而已，但 12-mA 输出驱动级的人体放电模式静电放电耐受能力却可 高于 2500V 。其中一4mA 的输出驱动级在遭受2000V 的人 体放电模式静电放电破坏后，经由解剖发现被静电放电损 伤的地方仍是在 Mn1 元件上。 但具有相对较大尺寸的 Mn2 却毫髮未伤，这实验结果 跟原本利用闸极耦合技术所预期的防护效果正好相反，闸 极耦合技术并未让大尺寸的 Mn2 及时导通来排放静电放电 电流。 再检视图 8.2-2 的设计，我们发现一个问题，当这个利 用闸极耦合技术所设计的输出驱动级在 PS-mode 的静电放 电测试下，出现在Output Pad 上的 ESD 电压虽然会经由闸极 与汲极的寄生电容(drain-to-gate overlap capacitance) 而耦合 一些电压到 Mn1 与 Mn2 的闸极上，去促使该电晶体导通来 排放 ESD 电流，这原本就是闸极耦合技术的设计重点。但 在输出驱动级的 PMOS 元件 Mp1 与 Mp2 中，其汲极到基体( N-well)有一寄生的二极体