由分立元件构成的负反馈放大电路.doc

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由分立元件构成的负反馈放大电路

由分立元件构成的负反馈放大电路 一、实验目的 1、了解N沟道场效应管的特性和工作原理。 2、熟悉两级放大电路的设计和调试方法。 3、理解负反馈对放大电路性能的影响。 二、实验任务 设计和实现一个由N 沟道结型场效应管和NPN 型晶体管组成的两级负反馈放大电路。 结型场效应管的型号是2N5486,晶体管的型号是9011。 三、实验内容 1、基本要求:利用两级放大电路构成电压并联负反馈放大电路。 静态和动态参数要求 (1)放大电路的静态电流IDQ 和ICQ 均约为2mA;结型场效应管的管压降UGDQ - 4V, 晶体管的管压降UCEQ = 2~3V; (2)开环时,两级放大电路的输入电阻约为100kΩ ,以反馈电阻作为负载时的电压放 大倍数的数值 ≥ 100; (3)闭环电压放大倍数为Ausf=UoUs≈-10? ? ? 2、提高要求:电流并联负反馈放大电路 如参考实验电路所示,其中第一级为N沟道结型场效应管组成的共源放大电路;第二级为NPN型晶体管组成的共射放大电路。 输入正弦信号Us,幅度为100mV,频率为10kHz,测量并记录输入电阻Rif、输出电阻Rof和闭环电压放大倍数Ausf=UoUs。 四、理论计算 1、电路参数的设定 (1)第一级电路:合理设置电阻参数,使得静态工作点满足:IDQ约为2mA,UGDQ - 4V。 根据场效应管的转移特性曲线(见下图)找到当IDQ=2mA时,UGSQ=—2.5270V,可以估算出 Us=IDQ×Rs UA=UG=US+UGSQ UGDQ=UG-12-4V即UGQ8V,有Rg12Rg2,另Rg1=150kΩ,Rg2=100 kΩ,此时有UA=UG=7.2V 即有Us=9.73V。 根据元件盒中的电阻情况和以上分析,可取Rs=4.7 KΩ 上图为场效应管2N5486的转移特性曲线 (2)第二级电路:通过调节Rb2,使得静态工作点满足:ICQ约为2mA,UCEQ = 2~3V。 MRF9011L的基极电流近似为0,所以Ub=Vcc×Rb1/(Rb2+Rb1),UbeQ=0.7V, 所以Ue=Ub-0.7V,IceQ=Ue/Re, 所以UceQ=Vcc-IceQ×(Rc+Re)∈[2,3]V, 将各个参数带入,求解得Rb2范围为[38.5,43.1]kΩ 实验中,根据元件盒中电阻值,取Rb2=39kΩ 2、理论计算 (1)静态参数 根据预先给定的电路电流电压的设置值和计算得到的电路产量,估算得到电路的静态参数。 Rg1Rg2RsIDQUGSQUAUSUGDQ理论估算静态150kΩ100kΩ4.7kΩ2mA—2.53V7.2V9.73V—4.8V(2)动态参数 a)开环动态参数 通过仿真结果得到 通过仿真结果得到IDSS=14.7484mV,UGS(off)=-4.00V rbe=rbb+1+βUTIEQ=5+212×262=2.761kΩ 故第二级电路的输入电阻为Ri2=Rb1∥Rb2∥rbe=2.20kΩ 输出电阻RO2=RC=3.6kΩ 第一级电路的输出电阻为RO1=RS=4.7kΩ Au1=UO1US=gm×RO1∥Ri2gm×RO1∥Ri2+1=2.716×2.20∥4.72.716×2.20∥4.7+1=0.803 Au=-Au1×βRO2∥Rfrbe=-0.803×212×(3.6∥100)2.716=-217.803 总输入电阻为Ri=Rf∥Rg3+Rg1∥Rg2=90.65 kΩ RO=RC=3.6kΩ (2)两级放大电路闭环测试 电压并联负反馈,深度负反馈条件下集成运放输入端有虚短和虚断的性质。 Af=-RfR1=-10010=-10 Rif=Ri1+AF=4.25kΩ Rof=Ro1+AF=168.9Ω (3)提高要求:电流并联负反馈放大电路 电流并联负反馈 F=R2R2+Rf=0.091 Af=IO×RCIi×R1=RCF×R1=13.2 Ri≈Rg=910 kΩ Rif=Ri1+AF=Ri×AfA≈310Ω RO≈RC=3.6kΩ 五、仿真结果 1.基本要求: 1)结型场效应管的特性曲线:利用“直流扫描分析(DC Sweep Analysis)”得到场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线。在测量转移特性曲线时,由于要得到一组曲线组,故同时启用V1、V2这2个电源。 测量电路如下: 根据场效应管的转移特性曲线(见下图)找到当IDQ=2mA时,UGSQ=—2.5270V,可以估算出 Us=IDQ×Rs UA=UG=US+UGSQ UGDQ=UG-12-4V即UGDQ8V,有Rg1Rg2,另Rg1=150kΩ,Rg2=100 kΩ,此时有UA=UG=7.2V 即有Us

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