项目三 场效应管.ppt

2. N沟道耗尽型MOSFET ⑴结构和符号 ⑵工作原理 UGS＜0，且UGS ↓至UGS =UGS（off） （夹断电压 ）→沟道消失 4. BJT与FET的比较 * * 项目三 场效应管及其放大电路 三极管是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 场效应管分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 场效应管因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 任务一 绝缘栅型场效应管的认知 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 （uGS=0时，无导电沟道） ? N沟道、P沟道 耗尽型 （uGS=0时，有导电沟道） ? N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构与符号 漏极D，源极S， 栅极G， 衬底B。 符号： uGS ＜ UGS（th） ，管子截止， uGS ＞ UGS（th） ，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大。 N沟道增强型MOS管的基本特性： UGS（th）：为开启电压 （2）特性曲线 四个区： （a）可变电阻区：UGS不变，ID与UDS成正比，漏源之间相当于一个可变电阻。 ①输出特性曲线：iD=f(uDS)?uGS=const （b）恒流区也称饱和区：UDS大于一定值，在 UGS 一定，ID几乎不变， ID 受UGS的控制。 可变电阻区 恒流区 （c）夹断区（截止区）： UGS ＜ UGS（th）的区域 （d）击穿区:UDS升高到一定程度，ID急剧增加。 截止区 击穿区 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 当uGS=0时，沟道已经形成，加入uDS，就有iD。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 ⑶ 特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 1 GS u 0 1 D (V) -1 2 -2 (mA) 4 3 2 i 4 2 u u 3 10V =+2V 1 DS GS D (mA) i = -1V u GS GS GS =0V =+1V u u (V) = -2V＝UP GS u UP （1） P沟道增强型绝缘栅场效应管 开启电压UGS(th)为 负值，UGS UGS(th) 时导通。 S G D B 符号 ID /mA UGS / V 0 UGS(th) 转移特性 （2） P沟道耗尽型绝缘栅场效应管 D B S G 符号 ID /mA UGS /V 0 UGS(off) 转移特性 夹断电压UGS(off)为 正值， UGS UGS(off) 时导通。 第1章 1.6 3. P沟道绝缘栅场效应管 易受静电影响 不受静电影响 噪声较小 噪声较大 电压控制电流 电流控制电流 只有多子参与导电 两种载流子参与导电 单极型场效应管FET 双极型三极管BJT 不宜大规模集成 输入电阻较小，几十到几千欧 适宜大规模和超大规模集成 输入电阻大，几兆欧以上 一、 场效应管的小信号简化模型 由场效应管的特性曲线可知， 当信号幅度较小时，跨导gm 可视为常数,因而可用一个线 性的电压控制电流源来等效 代替场效应管,即是场效应管 的小信号简化模型。 S D G ugs g m ugs id uds 任务二 场效应管放大电路 1、自偏压电路 二、场效应管的偏置电路 这种自偏压电路不适用于增强型场效应管， 因为静态时该电路不能使管子开启，即ID=0， 不能产生自偏压。 US=ID*RS UG=IG*RG UGS=-ID*RS * *