半导体物理-第10章-半导体的光学性质.pptVIP

光电池开路电压（I=0） 光电池短路电流（V=0） 例题 已知由金属和p型半导体为理想接触阻挡层而制成的一种光电池，室温下无光照时反向饱和电流为10－8mA，当光电池在特定光波照射下，开路电压为0.52V，若已知接上负载时，流过负载的电流为4.5mA，求光电池输出负载的功率。 10.4 半导体发光及半导体激光10.4.1 辐射跃迁与半导体发光 电子的跃迁伴随着发射光子，称为辐射跃迁 跃迁过程不发射光子，称为无辐射跃迁 半导体中电子产生有辐射跃迁未必就能向外发射光子，只有在辐射跃迁占优势，发射的光子数大于被吸收及其它损耗的光子数时，半导体才能向外发射光子 辐射跃迁可分为两种情形 导带电子跃迁到价带与空穴复合伴随着发射光子，这种情形称为本征跃迁 非能带之间的电子跃迁，归为非本征跃迁。 电子跃迁发射光子的能量近似为电子跃迁前后所具有的能量之差。 半导体发光机理：光致发光，电致发光和阴极射线发光 电致发光：p-n结发光，异质结发光，雪崩击穿发光和隧道效应发光。 实际应用最普遍最广泛的就是半导体p-n结正向注入的电致发光 热平衡：n型半导体一边形成电子势垒，p型半导体一边形成空穴势垒 p-n结加正压：外加电势与内建电势方向相反，接触势垒下降，导带电子和价带空穴复合形成p-n结正向电流，同时以发射光子形式释放多余能量。 10.4.2 受激辐射跃迁与半导体激光 激光——辐射受激发射光量子放大 亮度极高（光能量高度集中） 方向性好，几乎是一束平行光 单色性好，几乎是同一波频的光 受光的激发作用，使原子从E1基态激发到E2的激发态中去，处于激发态的原子始终要跃迁回到基态。那么，原子跃迁回基态的过程可以由两种不同的情况。 原子在跃迁过程中不受外界因素的作用，自动地从激发态跃迁回基态，从而放出电子，称之为自发辐射跃迁 在外来光子hv的诱发下，原子才从激发态跃迁回基态，同时放出光子，称之为受激辐射跃迁 自发辐射跃迁中各原子的跃迁都是随机的，所产生的光子虽然可以有相同的能量hv，因而可以有相同的频率，但这种光辐射的相位和传播方向等都不一样 受激辐射跃迁的诱发光子频率恰好与原子从受激态跃迁回基态时所放出的光子频率相同，那么受激发射的光子不但是频率，而且连同光波的相位、偏振方向、传播方向等性质都和诱发光子的性质完全一样。很明显这种受激辐射跃迁使光子数增加，或者说获得了光子数的放大作用 产生激光必须使原子的受激辐射跃迁占主导地位。 通常情况下，由于基态的原子数总是大于受激状态的原子数，受激辐射跃迁不可能占主要的地位 在足够的外来能量激发下，有可能使处于受激状态的原子数多于基态的原子数，称这种状态下的物质系统处于粒子数反转的状态（或称为分布反转） 如果有频率为ν的一束光通过粒子数反转状态下的物质系统，而且光子的频率恰好等于原子从受激状态跃迁回基态所放出的光子的频率，这时受激辐射跃迁就可以占主导地位，使系统输出能量为的光子数大于入射光子数，这种现象称为光量子放大 要使工作物质系统处于粒子数反转的状态需要一定的外部作用条件。将刚好能使工作物质处于粒子数反转状态的条件，称为激光作用条件 外界因素作用下，半导体处于非平衡状态，大量的电子从能量较低的价带被激发到能量较高的导带中去，使在相应区域中描述导带电子系统分布的准费米能级进入到导带中，而描述价带空穴系统分布的准费米能级进入到价带中。这样在价带与导带中，导带底以上某一区域的电子浓度必多于价带顶以下相应区域的电子浓度。这时在半导体导带和价带的相应区域里出现了粒子数反转的状态。 如果诱发光子能量hν满足一下关系 就会引起导带电子价带的受激辐射跃迁并有可 能占主导地位，使放出的光子数多于注入的光子 数，得到光量子的放大作用。这就是产生半导体 激光的前提条件。 第10章 半导体的光学性质和光电与发电现象 ● 10.1 半导体的光吸收 ● 10.2 半导体的光电导 ● 10.3 半导体的光生伏特效应 ● 10.4 半导体发光及半导体激光 10.1 半导体的光吸收10.1.1吸收系数，反射系数和透射系数 1 半导体的光吸收系数 用透射法测定光在媒质（半导体）中的衰减时发现，光的衰减与光强成正比，若引入正比例系数α（光吸收系数） 光强在半导体媒质中的衰减规律 I0表示在表面（x=0）处入射光的强度 α的物理意义：光入射导半导体内被吸收，使光强减小到原值的1/e时，光波在半导体中所传播的距离即是吸收系数的倒数。 由电磁场理论，光波在媒质（半导体）中传播，光强I随传播距离x的变化 式中，ω为光波角频率；c为光速；k为消光系数 吸收系数表示式 λ为入射光在自由空间的波长 2 反射系数和透射系数 反射系数：指界面反射能流密度和入