半导体材料分析技术与应用.pdf

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2018-03-16 发布于天津
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半导体材料分析技术与应用

半導體材料分析技術與應用鮑忠興 Jong-Shing Bow Feature of a MOS Matel silicide Poly(n) Gate oxide (1.5 nm) S(n) D(n) CD Substrate(p) CD = 0.18, 0.15, 0.13 μm; 90, 65 , …. nm 鮑忠興 Jong-Shing Bow I-2/26 Schematic IC Structure M2 IMD2 M1 IMD1 W W W W PMD W W S(n) D(n) STI S(n) D(n) STI S(n) D(n) 鮑忠興 Jong-Shing Bow I-3/26 Techniques to Characterize IC Microstructure IC Microstructure Microscopy Spectroscopy Diffraction Images Spectra Diff. Patterns 鮑忠興 Jong-Shing Bow I-4/26 影像提供的訊息圖案 (pattern) 尺寸 (dimension) STI 輪廓 (profile) Typical tools : PV-SEM (in-line) OM FIB (defects) TEM XSEM (off-line) 鮑忠興 Jong-Shing Bow I-5/26 影像三要素對比：No contrast, No information! 分析 Images