金属学与热处理第二章概要.ppt

材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 由于液相和固相密度相近，靠能量起伏、结构起伏使一定大小原子集团差不多同时降落在光滑界面上，以二维晶核的方式向晶体表面覆盖。此时V△Gv↓＞ σS↑ 形核后周围出现台阶，后来原子填充到台阶处，表面能增加很小，直至填满。而后重新形核、长大。 光滑界面晶体靠二维形核覆盖形成台阶，再逐层扩大，层层生长。这种长大方式也称为台阶式生长 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 2）螺型位错长大机制 螺型位错在晶体表面露头，形成一个螺旋上升的台阶。 原子可一个个不断地填充台阶，新增表面能很小，可以被结晶时体积自由能的降低所补偿。 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 原子不断依附于台阶上，使界面呈螺旋面，形成永不会消失的台阶。螺旋上升的晶面叫 “生长蜷线” SiC螺旋长大的晶体 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 无论是二维晶核长大机制还是晶体缺陷台阶长大机制，原子依附在台阶上是使晶体新表面长大的方向总是与光滑界面平行，所以称为横向长大方式。 a b 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 2、垂直长大机制 针对粗糙界面结构提出来的。因为在粗糙界面上存在着约50%的尚未被占据的正常点阵位置，液相中的原子可以直接进入这些位置而使晶体连续的垂直生长，所以又称连续长大机制。 这种方式成长，所需要动态过冷度很小，△Tk 为0.01～0.05 ℃，这种成长机理适用于大多数金属。 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 研究表明，液相原子在体心立方和面心立方晶体上最快附着晶面族是｛100｝，晶体最快生长方向是＜100＞， 密排六方原子最快附着晶面族｛1010｝，而密排六方晶体最快生长方向则是＜1010＞。 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 金属结晶 相起伏 能量起伏 晶胚 晶核 长大 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 四、液-固界面前沿液体中的温度梯度 1、正温度梯度 一般情况下，金属在铸型中凝固时，型壁附近散热快，温度最低，首先凝固，而越靠型腔中心温度越高。 液、固界面前沿液相中温度随离开界面距离的增加而升高。这样的温度分布称“正温度梯度”。 过冷度随着离界面距离的增加而减小。 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 2、负温度梯度 有些情况下，结晶不是从型壁开始，而是在型腔中。当达到一定过冷度后，开始凝固。长大时只需几分之一度即可，晶体长大时放出结晶潜热使界面很快升高到接近熔点Tm, 随后放出潜热向固和液中散失。 在液／固界面前沿液相中温度随离开界面距离的增加而降低，称 “负温度梯度”。 过冷度随着离界面距离的增加而增大。 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 五、晶体生长的界面形状-晶体形态 在正温度梯度条件下，晶体生长的界面形态与微观结构有关，固液界面的微观结构有两种： 1、在正温度梯度下生长的界面形态 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 （1）光滑界面生长形态 显微界面为晶体学小平面，它们与散热方向呈不同角度分布着，与Tm 交有一定角度，而从宏观看，仍与Tm 平行的等温平直面。有利于形成具有规则形状的晶体。 球形晶核表面是由多个晶体学小平面组成，晶面不同，原子密度也不同，各处表面能也不同。 研究表明：原子密度大的晶面长大速度慢，密度小的快。 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 但长大速度大的晶面容易被速度小的晶面所制约，最后表面都是密排面，并且具有规则的几何形状。 简单立方的{100}为密排面，{110}为非密排面。 为结晶时间，且 [101]方向长大速度大于[100]、 [001]方向 {110}逐渐缩小消失，最终晶体表面为密排面{100}。 这种解释是否严密、合理呢？？？ 后面在讲述晶体生长速度是在加以讨论，PPT84 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 （2）粗糙界面 界面为平行于熔点Tm 等温平直界面，与散热方向垂直。这种晶体成长时所需 △T 很小，界面温度几乎与Tm 重合，所以成长的界面只能随液体冷却而均匀一致的相液相中推进。 局部一旦有凸出，便进入低于临界 △Tk甚至高于 Tm 温度的区域，立即停止甚至重熔，所以始终近似的保持平面。长大速度取决于散热条件 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 在正的温度梯度下，无论是粗糙界面还是光滑界面，其生长过程基本上都是以和Tm等温面平行的方式推进，所以把这种方式生长的界面状态称为平面状生长状态。 材料科学与工程学院 §2-5 晶核的长大 2、负温度梯度下生长的界面形态 （1）界面前沿 △T 大，如某一局部突出，将深入到更过冷液体中，更有利于此突出向液体中生长；此突出横