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GaInP2GaAsGe叠层太阳电池中的高效率Ge底电池
第 卷增刊 半 导 体 学 报
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王亮兴 涂洁磊 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波
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摘要 从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了 底电池的开路电压 短路电流 和填充因子 的影
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响 结果表明)控制发射层的表面复合$并减薄其厚度可以提高开路电压 $并可以有效提高短路电流 (调整相
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应的器件工艺有利于填充因子 的提高 采用上述改进措施 成功得到 达到 达到 *
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关键词 太阳电池 高效率 表面复合速率 器件工艺的改善
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中图分类号’ 文献标识码’ 文章编号’ $
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底上分别生长 型 和 型 浓度
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