GaInP2GaAsGe叠层太阳电池中的高效率Ge底电池.pdfVIP

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GaInP2GaAsGe叠层太阳电池中的高效率Ge底电池

第 卷增刊 半 导 体 学 报 *’ aD2*’ % D9196C ! ! ! ! ! GG 年 月 $ *++. ’ #8Q!%!M_e]Q$?_^%!=#_QNe#[_]% M69*++. ( ( 叠层太阳电池中的 QR1D$ QR%LQB 高效率 底电池# QB 王亮兴 涂洁磊 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波 ! ! ! ! ! ! # $ % 上海空间电源研究所 上海 *++*00 ! ’ ’ 摘要 从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了 底电池的开路电压 短路电流 和填充因子 的影 X9 $ ^^ E HE 响 结果表明)控制发射层的表面复合$并减薄其厚度可以提高开路电压 $并可以有效提高短路电流 (调整相 2 $ E HE 应的器件工艺有利于填充因子 的提高 采用上述改进措施 成功得到 达到 达到 * $ $ . $ ^^ 2 $ *-)b.1a )0b,01$ E1 E HE 效率达到 的 太阳电池2 )b0./ X9 ’ ( ( ( 关键词 太阳电池 高效率 表面复合速率 器件工艺的改善 X9 ) ( ( ( $% +*)+ -’0+ -,,. ’-++ 中图分类号’ 文献标识码’ 文章编号’ $ [O.,( $ +*.0J(,))*++.%+J+,W’J+( ! ! ! ! ! ! 底上分别生长 型 和 型 浓度

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