温度设定程序.docVIP

#includereg51.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int sbit DQ=P2^1; //温度数据口 sbit wx1=P2^2; //位选1 sbit wx2=P2^3; //位选2 unsigned int temp, temp1,temP0; uchar code table[]={0xc0,0xf9,0xa4,0xb0,0x99, //共阳数码管0~4 0x92,0x82,0xf8,0x80,0x90};//共阳数码管5~9 /******延时程序*******/ void delay1(unsigned int m) { unsigned int i,j; for(i=m;i0;i--) for(j=110;j0;j--); } void delay(unsigned int m) //温度延时程序 { while(m--); } void Init_DS18B20() { unsigned char x=0; DQ = 1; //DQ复位 ds18b20通信端口 delay(8); //稍做延时 DQ = 0; //单片机将DQ拉低 delay(80);//精确延时 大于 480us DQ = 1; //拉高总线 delay(4); x=DQ; //稍做延时后 如果x=0则初始化成功 x=1则初始化失败 delay(20); } /***********ds18b20读一个字节**************/ uchar ReadOneChar() { unsigned char i=0; unsigned char dat = 0; for (i=8;i0;i--) { DQ = 0; // 高电平拉成低电平时读周期开始 dat=1; DQ = 1; // 给脉冲信号 if(DQ) dat|=0x80; delay(4); } return(dat); } /*************ds18b20写一个字节****************/ void WriteOneChar(unsigned char dat) { unsigned char i=0; for (i=8; i0; i--) { DQ = 0; //从高电平拉至低电平时,写周期的开始 DQ = dat0x01; //数据的最低位先写入 delay(5); //60us到120us延时 DQ = 1; dat=1; //从最低位到最高位传入 } } /**************读取ds18b20当前温度************/ void ReadTemperature() { unsigned char a=0; unsigned b=0; unsigned t=0; Init_DS18B20(); WriteOneChar(0xCC); // 跳过读序号列号的操作/ WriteOneChar(0x44); // 启动温度转换 delay(5); Init_DS18B20(); WriteOneChar(0xCC); //跳过读序号列号的操作 WriteOneChar(0xBE); //读取温度寄存器等（共可读9个寄存器） 前两个就是温度/ delay(5); a=ReadOneChar(); //读取温度值低位 / b=ReadOneChar(); //读取温度值高位 / temp1=b4; //高8位中后三位数的值 temp1+=(a0xf0)4; //低8位中的高4位值加上高8位中后三位数的值 temp1室温整数值 temp=((b*256+a)4); //当前采集温度值除16得 实际温度值 zhenshu } void wenduxianshi() //温度显示 { wx1=1; P0=table[temp/10];