伺服电机驱动电源Servomotordriverboard.PDFVIP

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伺服电机驱动电源Servomotordriverboard

1000W - 2000W伺服电机驱动电源 Servo motor driver board 高效电源应用方案 高达99% 以上的效率 超小体积 无风扇设计 无散热片设计 更高频率的使用成为可能 通常建议使用氮化镓的频率是硅的3‐5倍 4kHz 15kHz 50kHz 100kHz 500kHz 1MHz 现有的伺服电机工作频率均在20K 以 采用氮化镓MOSFET后,可以实现高频化,同时 下,如工作超出此频率,硅MOSFET或 不会带来额外的损耗,高效率,可工作在 IGBT发热度将大大提升。影响效率。 1MHZ 体积变小 体积较大,效率较低 效率提高,精度大大增加 THD较差 THD优化 氮化镓器件与硅器件在电路上的对比 氮化镓材料MOSFET -HEMT 管 极 二 内 体 无 镓 化 氮 性 特 管 极 二 有 但 硅材料MOSFET/ Cool Mos/IGBT 氮化镓MOS发热源: MOSFET发热源: 1,Rds(on)损耗, 1,Rds(on)损耗 2, 开关损耗(硬开关模式CCM), 2,极其小开关损耗,不足Si管 1/10 3, 只有54nC反向恢复损耗,不足Si管的 3,体内二极管反向续流损耗, 1/100损耗 4,死区损耗(软开关模式,DCM). 4,超低的结电容保证较小的死区损耗. 开关损 明显小于 耗对比 左边 120nS 400nS ) ) V A ) ( ( V 死区损 s r

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