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伺服电机驱动电源Servomotordriverboard
1000W - 2000W伺服电机驱动电源
Servo motor driver board
高效电源应用方案
高达99% 以上的效率
超小体积
无风扇设计
无散热片设计
更高频率的使用成为可能
通常建议使用氮化镓的频率是硅的3‐5倍
4kHz 15kHz 50kHz 100kHz 500kHz 1MHz
现有的伺服电机工作频率均在20K 以 采用氮化镓MOSFET后,可以实现高频化,同时
下,如工作超出此频率,硅MOSFET或 不会带来额外的损耗,高效率,可工作在
IGBT发热度将大大提升。影响效率。 1MHZ
体积变小
体积较大,效率较低 效率提高,精度大大增加
THD较差 THD优化
氮化镓器件与硅器件在电路上的对比
氮化镓材料MOSFET -HEMT
管 极 二 内 体 无 镓 化 氮
性 特 管 极 二 有 但
硅材料MOSFET/ Cool Mos/IGBT
氮化镓MOS发热源:
MOSFET发热源:
1,Rds(on)损耗, 1,Rds(on)损耗
2, 开关损耗(硬开关模式CCM), 2,极其小开关损耗,不足Si管 1/10
3, 只有54nC反向恢复损耗,不足Si管的
3,体内二极管反向续流损耗, 1/100损耗
4,死区损耗(软开关模式,DCM). 4,超低的结电容保证较小的死区损耗.
开关损 明显小于
耗对比 左边
120nS
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) )
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V 死区损 s r
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