氮化镓功率电晶体之基础-mipaper.pdf

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2018-03-20 发布于天津
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氮化功率晶之基作者及博士宜普源公司我功率半最基本要求是它的效能可靠性管控性及其成本效益它的高率性能可切合器系於及方面的需要而具更高值放大器提供高保真度一新元件如果不高效不可靠的根本不可能商品化市上有很多新及原料可可是只有限度或非普遍性接受宜普之最新突破乃推出氮化增型功率管控元件具高性快矽元件之成本及基本操作模式等元件造一件元件之成本效益利用有之生基施始算宜普之程技建基於不昂的矽晶片在矽基板上有一薄薄的氮化隔了元件和基或以下伏特元件的隔是伏特在隔上就是一厚厚具阻力的氮化而氮化晶就是建立於基上一子生

氮化鎵功率電晶體之基礎作者: Stephen L. Colino 及Robert A. Beach 博士宜普電源轉換公司Efficient Power Conversion Corporation 我們對功率半導體最基本要求是針對它的效能、可靠性、管控性及其成本效益。它的高頻率性能，可切合穩壓器系統於體積及暫態響應方面的需要而具更高價值，並為D 級放大器提供高保真度。一個新元件結構如果不高效、不可靠的話，根本不可能商品化。市場上有很多新結構及原料可選，可是只見有限度或非普遍性接受。「宜普」之最新突破乃推出氮化鎵(Gallium Nitride/ GaN)