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SPICE电路模拟第四章、MOS管的仿真 张志亮 晶体二极管调用形式(J21) Geometric (几何，LEVEL=1) 或Non-Geometric (非几何，LEVEL=3)形式: Fowler-Nordheim (福勒-诺德海姆隧道效应，LEVEL=2)形式: Dxxx nplus nminus mname W=val L=val + WP=val OFF IC=vd M=val 双极型晶体三极管BJT调用形式(J23) Qxxx nc nb ne ns mname area OFF + IC=vbeval,vceval M=val DTEMP=val Qxxx nc nb ne ns mname AREA=area + AREAB=val AREAC=val OFF + VBE=vbeval VCE=vceval + M=val DTEMP=val BJT的电流定义 I(Q1)或I1(Q1) 均指代集电极电流，在此的Q1表示对应的元件名称 场效应管FET 对国内集成电路制程或设计环境而言，至少有95％集中在CMOS产品上。(P11) 为仿真越来越先进的工艺制程，MOS管的描述模型不断发展。 N沟道MOSFET JFET、MESFET和MOSFET的调用形式 常用参数意义 JFET、MESFET的电流定义(N沟道) I(Jxxx)或I1(Jxxx) 均指代漏极电流，在此的Jxxx表示对应的元件名称 MOSFET的电流定义(N沟道) I(M1)或I1(M1) 均指代漏极电流，在此的M1表示对应的元件名称 实验：P103图3.1，反相器 通过DC语句扫描其转换曲线，找出临界电压 自动模型选择（P106） 一组元件模型使用相同的主标识名称，每个具体的元件模型拥有自己的小编号，并指定其适用的元件宽度范围及长度范围 .MODEL NCH.4 WMIN=1.5U WMAX=3U LMIN=0.8U LMAX=2U .MODEL NCH.5 WMIN=1.5U WMAX=3U LMIN= 2U LMAX=6U 元件调用时只给出主标识名称，针对元件实际的大小（长宽、宽度）而从主标识命名的一组元件模型中自动选择适当的元件模型，HSpice特有功能 M1 D G S B NCH W=2U L=1U $此处实际调用NCH.4 库的使用（J30） 库主要是用来存放元件模型，一般由生产厂家提供，便于客户仿真调用 库定义格式（同一文件当中可以定义多个进入类别） .LIB entryname1 $ 任何HSPICE有效叙述的集合 .ENDL entryname1 .LIB entryname2 $ 任何HSPICE有效叙述的集合 .ENDL entryname2 调用格式 .LIB filepath filename entryname 库的定义中可以调用本文件或其他文件当中的库，例如： .LIB TT .param toxn = 4E-9 toxp = 4E-9 .lib mm018.l MOS .ENDL TT 实验：P103图3.1，反相器(修改) 使用TSMC 0.18um库的TT_3V工艺，并指定MOS管尺寸的长(1u)和宽(8u)，查看自动选择元件模型的结果 通过DC语句扫描其转换曲线，找出临界电压 加一脉冲信号并作瞬态分析，观看输出波形 文件包含语句(.include或.inc) 语法格式 .INCLUDE filepath filename .INC filepath filename 与库调用(.lib)语句的差别： .lib语句调用的必须是库定义文件中的特定进入类别，作用是将其间的所有语句在.lib语句当前位置原封不动的包含进来，原文件必须是.lib与.endl声明的库 .inc语句则是将指定文件在.inc语句当前位置原封不动的包含进来，对原文件无特殊要求，只要是有效叙述均可 库文件或被包含文件中均可包含元件模型定义、子电路定义，以及元件描述、参数定义、控制分析输出叙述等 * 参数意义： ＋3.3V PCH3 NCH3 * * *