ITO蒸镀-2.pptVIP

Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential * Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential 1/8 透明导电薄膜 ITO蒸镀影响因素 总结 2/8 透明导电薄膜 T80%，ρ~1.0*10-3Ω·cm 3/8 在TCO材料中有最佳的导电性(电阻率低) 在可见光波段有良好的透光度 良好的耐候性，受环境影响小 大面积镀膜容易(成熟) 蚀刻容易(成熟) 成本低 ITO膜的优势 透明导电薄膜 4/8 ITO＝Indium Tin Oxide(In2O3＋SnO2) ITO的成分＝In2O3：SnO2（9:1） 电阻率/透过率 刻蚀速度 透明导电薄膜 ITO ITO蒸镀影响因素 衬底温度的影响 * 我们的数据： Rs~10Ω/□，ρ~2.5*10-4Ω·cm ） 5/8 真空 VACUUM Vol. 45, No. 3，May. 2008 本底真空:8E-3Pa（~6E-5Torr) 靶材：In2O3：SnO2（9:1） 电子枪加速电压：6kV 衬底：玻璃 6/8 氧分压的影响 ITO蒸镀影响因素 Ts=350℃ 7/8 沉积速度的影响 ITO蒸镀影响因素 Ts=350℃，PO2=2.0E-2Pa 8/8 对我们工作的借鉴意义： ITO质量 生长：温度(t)，氧流量(Flow)，沉积速率(v) 样品：方块电阻(Rs)，透过率(T)，折射率(n) ITO在器件中的应用 厚度(d)，结合力(F)，RTP制程 总结 Apollo Precision Confidential * 周末愉快~ Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential * Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential Apollo Precision Confidential