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LED基本常识六西格玛品质论坛- l+ `6 U; M HLED基本常识(一)??{( S7 u# ], h3 w??`) T N. D( z q/ I4 b% Y* w7 ]半导体发光器件包括半导体发光二极管（简称LED）、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏（简称矩阵管）等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。4 u% d4 L1 e2 D$ V一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用, _! a+ M A2 w/ l六西格玛品质论坛 N8 D+ k5 I5 z) ]( D) I? ? （一）LED发光原理3 M* n# m4 l. W6 C2 ^ v4 D+ i? ? 发光二极管是由-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。! O1 |8 t( v8 q+ a??O. `1 q( o e, n??v1 o0 Y3 }. A? ? 假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心（这个中心介于导带、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。8 O f0 d( Y2 L2 `2 | J1 ?7 B- ?2 S$ U( P* X+ g-质量-SPC ,six sigma,TS16949,MSA,FMEA--(20万质量人注册)? ? 理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即1 v4 D. L3 u9 O4 Q! n- P; G) C0 w# U( O) j7 M ~) W9 Iλ≈1240/Eg（mm）六西格玛品质论坛- r* j% H; ]7 c+ {6 q9 g? ? 式中Eg的单位为电子伏特（eV）。若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。$ b: P8 P: y) w6 r??`* w ^% h. |??（二）LED的特性: o5 ]+ i `0 J% d4 O! |??1．极限参数的意义8 {- c- `1 a5 a??l z. O6 u7 U7 J+ t2 d6 v$ ???（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。; z( V1 @2 a! \: p2 z/ h8 S-质量-SPC ,six sigma,TS16949,MSA,FMEA--(20万质量人注册)??（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 ? ???% c# {/ w( H7 s7 Y1 C2 w) M-质量-SPC ,six sigma,TS16949,MSA,FMEA--(20万质量人注册)# W, Z??o5 V b) _0 H! j* R5 D??（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 ??- C9 D N% t) s( N: H; @( q: T1 n% w; n/ l-质量-SPC ,six sigma,TS16949,MSA,FMEA--(20万质量人注册)??（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。1 | \5 y: y% q9 V _! f. z8 x* u-质量-SPC ,six sigma,TS16949,MSA,FMEA--(20万质量人注册)# p A6 i- Y( D9 g??2．电参数的意义 $ B5 k0 j* A8 n$ V$ [( X. y4 W. }??q( Y5 l% }- T \4 e5 X??（1）光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。 由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。5 w/ v9 Z6 [2 {+ r. D??q9 s: s6 _+ _!