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FPGA操控SDRAM
FPGA操控SDRAM
所用FPGA芯片:EP2C8Q208C8
所用内存:H57V2562GTR-75C
顶层模块:
module sdram
(
clk,
ext_rst_n,
/**********************/
sdramclk,//SDRAM的引脚
ledpio,//发光二极管,打酱油的
addr,
ba,
cas_n,
cke,
cs_n,
dq,
dqm,
ras_n,
we_n,
/*****************/
flash_nce_n,
sram_nce_n
/******************/
);
/******************/
input clk;
input ext_rst_n;
output [7:0] ledpio;//八位流水
/**************************/
output [12:0] addr;
output [1:0] ba;
output cas_n;
output cke;
output cs_n;
inout [15:0] dq;
output [1:0] dqm;
output ras_n;
output we_n;
output sdramclk;
/**************************/
output flash_nce_n=1b1;
output sram_nce_n=1b1;
assign cs_n=1b0;
assign cke=1b1;
assign dqm=2b00;
/****************************/
wire wr_n;
wire [4:0] cmd;
wire refquest;
wire rfinish;
wire wfinish;
sys_cmd s1
(
.clk(clk_100m),
.rst_n(ext_rst_n),
.wr_n(wr_n),//由数据产生模块决定现在是读还是写状态
.cmd(cmd),
.refquest(refquest),
.rfinish(rfinish),//读完成标志位,每完成一次读操作出现一次上升沿
.wfinish(wfinish)//写完成标志位,每完成一次写操作出现一次上升沿
);
/***************************/
wire [12:0] rowadd;
wire [8:0] caadd;
wire [15:0] indata;
wire [15:0] outdata;
sys_ctrl s2
(
.clk(clk_100m),
.cmd(cmd),
.rowadd(rowadd),//行地址输入
.caadd(caadd),//列地址输入
.indata(indata),//数据输入
.outdata(outdata),//从内存读回数据后,将数据输出
.addr(addr),
.ba(ba),
.cas_n(cas_n),
.dq(dq),
.ras_n(ras_n),
.we_n(we_n),
.refquest(refquest)
);
assign ledpio=outdata[7:0];
/*****************************/
wire clk_100m;
pll100m p1(
.inclk0(clk),
.c0(clk_100m),
.c1(sdramclk));
/*****************************/
dataproduce d1
(
.clk(clk_100m),
.wr_n(wr_n),
.data(indata),
.rowadd(rowadd),
.caadd(caadd),
.rst_n(ext_rst_n),
.rfinish(rfinish),//读完成标志位,每完成一次读操作出现一次上升沿
.wfinish(wfinish)//写完成标志位,每完成一次写操作出现一次上升沿
);
/******************************/
Endmodule
内存状态控制模块:
module sys_cmd
(
clk,
rst_n,
wr_n,
cmd,
refquest,//刷新请求位,为高时请求外部执行刷新操作
rfinish,//读完成标志位,每完成一次读操作出现一次上升沿
wfinish//写完成标志位,每完成一次写操作出现一次上升沿
);
/*************************/
parameter cnt_200us=20000;//SDRAM在开机时的初始化过程,上电后要有2
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