3.1-3.3门电路.pptVIP

3.1 概述 数字集成电路分类 3.2.1二极管的开关特性： 二极管构成的门电路的缺点 电平有偏移 带负载能力差 只用于IC内部电路 MOS管的四种类型 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 MOS管的基本开关电路 等效电路 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 二、电压、电流传输特性 三、输入噪声容限 可以通过提高VDD来提高噪声容限 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性 传输延迟时间 * 3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.4* 其他类型的MOS集成门电路 3.5 TTL门电路 3.6* 其他类型的双极型集成门电路 3.7* Bi－CMOS电路 3.8* TTL门电路与CMOS门电路的接口 第三章 门电路 门电路是用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路，与我们所讲过的基本逻辑关系相对应，门电路主要有：与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门等。 S断开------vo= Vcc , 输出高电平 S闭合------vo=0, 输出低电平 高、低电平的获取方法 可用晶体管或场效应管代替 单开关电路功耗较大，可采用互补开关电路，即用一个管子代替图中的电阻。 V cc I v o v S 1 S 2 输 入 信 号 输 出 信 号 互补开关电路由于两个开关总有一个是断开的，流过的电流为零，故电路的功耗非常低，因此在数字电路中得到广泛的应用 1 0 在数字电路中，一般用高电平代表1、低电平代表0，即所谓的正逻辑系统。 高低电平都有一个允许的范围，只要能判断高低电平即可。 有的资料称，数字集成电路按制作工艺分TTL和CMOS两大类。 数字集成电路根据规模可分为 小规模集成电路(SSI-Small Scale Integration)， 每片组件内包含100个以下元件(或10个以下等效门)。  中规模集成电路(MSI-Medium Scale Integration)，每片组件内含100~1000个元件(或10~100个等效门)。  大规模集成电路(LSI-Large Scale Integration)， 每片组件内含1000~10000个元件(或100~1000个等效门)。 超大规模集成电路(VLSI-Very Large Scale Integration)， 每片组件内含10000个以上元件(或1000个以上等效门)。 高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 VI=VIH D截止，VO=VOH=VCC VI=VIL D导通，VO=VOL=0.7V 3.2半导体二极管门电路 Y A/V B/V 0 0 0 0 3 3 3 3 设：VIL =0V , VIH =3V VD =0.7V 3.7V 0.7V 0.7V 0.7V 3.2.2 二极管与门 3.7 3 3 0.7 0 3 0.7 3 0 0.7 0 0 Y B A 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 Y B A 规定3V以上为1 0.7V以下为0 3.2.3 二极管或门 Y A B 0 0 0 0 3V 3V 3V 3V 0V 2.3V 2.3V 2.3V 设：VIL =0V , VIH =3V VD =0.7V 2.3V 3V 3V 2.3V 0V 3V 2.3V 3V 0V 0V 0V 0V Y B A 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 Y B A 规定2.3V以上为1 0V为0 增强型 耗尽型 3.3 CMOS门电路 3.3. 1 MOS管的开关特性 对于N沟道增强型场效应管： 对于P沟道增强型场效应管： 输入为“1”时导通； 输入为“0”时截止。 输入为“0”时导通； 输入为“1”时截止。 OFF ，截止状态 ON，导通状态 VDD VGS(th) N ＋｜ VGS(th) P ｜ VDD S T1 D T2 vi vo vi = VIL =0 截止 ugs1= ?VDD 导通 v０= VOH =VDD 工作原理： S v０= １ VDD S T1 D T2 vi vo vi = VOH =VDD 导通 截止 v０ = VIL =０ 工作原理： S vi =１ 小结： 二极管构成的与门、或门； CMOS反相器的电路结构与工作原理