资质认定证书附录.DOCVIP

序号 检测 对象 项目/参数 检测标准（方法）名称及编号（含年号） 限制 范围 说明 序号 名称 8.计量 8.1 电感 1 介质耐压 GJB1864A—2011射频固定和可变片式电感总规范 ≤5kV,1.5% 　 2 绝缘电阻 ≤1×1016Ω,0.6% 3 电感 1nH～10H,0.1% 4 Q值 ≤1000,5% 5 自谐振频率 40Hz～3GHz,1% 6 直流电阻 10mΩ～100MΩ,0.01% 8.2 电容 1 绝缘电阻 GB/T2693—2001电子设备用固定电容器总规范 第一部分：通用技术指标 DC: 0.1 V～1kV电阻: 1×103 Ω～1.6×1016 Ω 精度为0.6% 　 2 耐电压 直流电压 V≤5000 V 3 电容量 1pF～10μF 0.01% 4 损耗角正切和等效电阻 ≤0.10.5×10-4 5 漏电流 1μA～100mA1% 6 阻抗 100mΩ～100MΩ0.1% 7 电容及自谐振频率 40Hz～3GHz 8 电容温度特性 -55℃～+150℃ 8.3 电阻 1 直流电阻 GJB1432B—2009片式膜固定电阻器通用规范 10mΩ～100MΩ0.01% 　 2 电阻温度特性 -55℃～+150℃ 8.4 集成运算放大器 1 电源电流ICC GB/T17940-2000半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路 0～100mA 　 2 输入失调电压VIO 0～100mV 3 输入失调电流IIO 0～100μA 4 输入偏置电流IIB 0～100μA 5 开环电压增益AVD 60dB～120dB 6 共模抑制比KCMR 60dB～120dB 7 电源电压抑制比KSVR 60dB～120dB 8 最大共模输入电压VICM 0～15V 9 输出电压峰峰值VOPP 0～40V 10 增益带宽积G?BW 100kHz～100MHz 8.5 功率交流电源 1 频率 SJ 10542-94抗干扰型交流稳压电源测试方法 10Hz～1kHz 　 2 功率 ≤9000VA 3 功率因数 0.00～1.00 4 负载调整率 1mV～100mV 8.6 防静电系统 1 防静电地面系统电阻和点对点电阻 SJT 10694-2006电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范 1×105Ω～1×109Ω 　 2 防静电台垫系统电阻和点对点电阻 1×105Ω～1×109Ω 3 防静电工作腕带电阻 穿戴状态下系统电阻：7.5×105Ω～1×107Ω 内表面对电缆扣电阻：≤1×105Ω 4 防静电椅系统电阻和点对点电阻 系统电阻：1×105Ω～1×109Ω点对点电阻：1×105Ω～1×1010Ω 5 防静电工作服电阻 1×105Ω～1×1010Ω 6 防静电鞋电阻 1×105Ω～1×109Ω 8.7 接地系统 1 接地电阻 SJT 10694-2006电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范 0.1Ω～5Ω 　 8.8 环境试验设备 1 温度 GB/T5170.2-2008电工电子产品环境试验设备检验方法温度试验设备 -80℃～200℃ 　 2 湿度 GB/T5170.5-2008电工电子产品环境试验设备检验方法湿热试验设备 20%RH～95%RH 　 8.9 微波电子材料 1 复介电常数 GB/T 7265.2-1987固体电介质微波复介电常数的测试方法 0～100(1GHz～18GHz) 　 2 损耗 5×10-2～6×10-5(1GHz～18GHz) 8.10 功率二极管 1 击穿电压VR GJB128A-97半导体分立器件试验方法 30V～3kV 　 2 反向直流电流IR 100nA～10mA 3 正向直流电压VF 0.1V～30V 4 工作电压VZ 0.1V～30V 8.11 双极晶体管 1 IE=0时的集电极基极击穿电压V(BR)CBO 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管GB/T 4587-1994 30V～3kV 　 2 IC=0时的发射极基极击穿电压V(BR)EBO 30V～3kV 3 IB=0时的集电极发射极击穿电压V(BR)CEO 30V～3kV 4 IE=0时的集电极基极截止电流ICBO 100nA～10m