第6章数字电路基础-2.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 例：图中给出输入变量A、B、C的真值表，填写函数的卡诺图 A B C F 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 A BC 0 1 00 01 11 10 1 1 1 0 0 0 0 0 AB ABC F= ABC + AB 得： 图形法化简函数 * 例：将F(A、B、C、D) 化为最简与非—与非式 * 例：将F(A、B、C、D) 化为最简与非—与非式。 解： 01 00 01 11 10 00 11 10 CD AB AB 1 1 1 1 1 1 B CD 1 1 ACD ABC 1 1 AC 1 1 1 1 m14,m15两次填1 0 0 0 0 图形法化简函数 * 例：将F(A、B、C、D) 化为最简与非—与非式 解： 01 00 01 11 10 00 11 10 CD AB 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 AC AD BC BD A B C 化简得： 最简与非—与非式为： 图形法化简函数 * NOR和NAND的区别 1：内部memory架构不同,nand由与非门逻辑设计，容量可以做的很大，价格比较便宜，但生产厂商不保证每一个数据块都能正常工作，有点类似于硬盘有坏区的概念。且nand需要有驱动支持。nor由或非门逻辑设计而成，生产成本比较高，数据密度不太大，所以容量较小。但nor的每一个数据块都保证不会出错。nor挂在总线上，所以它可以像sram一样不需驱动而访问，所以程序代码可以直接在其中运行。???????● NOR的读速度比NAND稍快一些。　　● NAND的写入速度比NOR快很多。　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。2：接口不同。NOR是属于SRAM型接口，NAND属于I/O接口3：随机读取速度不同，决定其应用场合不同。Nor可以取代EEPROM，多用于BOOT ROM, NAND由于其高密度，多用于大量data存储。如U盘等.  * 卡诺图化简的依据？ 两个相邻小方格所代表的最小项仅一个变量取值不同 相邻、对称的最小项可以合并 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * K 图 的 特 点 图形法化简函数 ? k图为方形图。n个变量的函数--k图有2n个小方格，分别对应2n个最小项； ? k图中行、列两组变量取值按循环码规律排列，使变量各最小项之间具有逻辑相邻性。 上下左右几何相邻的方格内，只有一个因子不同 ? 有三种几何相邻：邻接、相对（行列两端）和对称（图中以0、1分割线为对称轴）方格均属相邻 00 01 11 10 00 01 11 10 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 m12 m13 m14 m15 m8 m9 m10 m11 AB CD 四 变 量 K 图 两个相邻格圈在一起，结果消去一个变量 ABD AD A 1 四个相邻格圈在一起，结果消去两个变量 八个相邻格圈在一起，结果消去三个变量 十六个相邻格圈在一起，结果?mi=1 卡诺图化简函数规则： ? 几何相邻的2i（i = 1、2、3…n）个小格可合并在一起构成正方形或矩形圈，消去i个变量，而用含（n - i）个变量的积项标注该圈。 * ? 根据函数填写卡诺图 1、已知函数为最小项表达式，存在的最小项对应的方格填1，其余方格均填0。 2、若已知函数的真值表，将真值表中使函数值为1的那些最小项对应的方格填1，其余格均填0。 例子 3、函数为一个复杂的运算式，则先将其变成与或式，再用直接法填写。举例 ? 作圈的步骤 1、孤立的单格单独画圈 2、圈的数量少、范围大，圈可重复包围但每个圈内必须有新的最小项 3、含1的方格都应被圈入，以防止遗漏乘积项 图形法化简函数 返 回 * 图形法化简函数 ? 与或表达式的简化 步 骤 ? 先将函数填入相应的卡诺图中，存在的最小项对应的方格填1，其它填0。 ? 合并：按作圈原则将图上填1的方格圈起来，要求圈的数量尽量少、范围尽量大，圈可重复包围但每个圈内必须有新的最小项。 ? 每个圈写出一个乘积项。按取同去异原则 ? 最后将全部积项逻辑加即得最简与或表达式 返 回 * 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 AB 0 0 L1 C