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第一章 CMOS集成电路制造工艺基础 内容提纲 一、集成电路材料 二、基本的半导体制造工艺 三、CMOS工艺基础 一、 集成电路材料 制造集成电路所用到的材料很多，基本有三类： ★ 导体 ★ 半导体 ★ 绝缘体 导体在制造工艺中的功能 导体如铝、金、钨、铜以及镍镉合金等，在集成电路中主要完成的功能有： 1.构成低阻值电阻，电容的极板，电感的绕线，传输线，与轻掺杂半导体构成肖特基接触；与重掺杂半导体构成半导体器件的电极的欧姆接触。 2.构成元器件间和层间的互连线。 3.构成与外界电路连接的焊盘。 绝缘体在制造工艺中的功能 绝缘体如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（SiON、Si3N4）等氧化物和氮化物在集成电路制造工艺中要完成的功能： 1.构成电容的介质；构成MOS管的栅极与沟道间的绝缘层（栅氧）。 2.构成元件之间，互连线之间的横向隔离（场氧）。 3.构成不同工艺层面之间的纵向隔离，防止表面机械损伤和化学污染的钝化层。 半导体在制造工艺中的功能 半导体是集成电路制造工艺中的核心材料，集成电路就是制作在半导体衬底材料上的，半导体材料的特征决定了集成电路基本元器件的特性。 除了半导体、导体、绝缘体外，在集成电路制造工艺中还需要陶瓷、玻璃、塑料、金属等作为封装材料。在制造过程中需要超净环境，高纯水，高纯气的制备等等。 二.基本的半导体制造工艺 1. 单晶硅和多晶硅 ★ 单晶硅和晶圆 集成电路所有工艺都是以单晶硅为起点。通过一定的工艺过程生长纯度极高的单晶硅，生长成的晶体直径约为75~300mm，长度约会1m的圆柱体，然后将圆柱状单晶体切成0.5~0.7mm厚，100~300mm（4~12in）大小的晶圆片。 晶体生长过程中，掺入N型或P型杂质，可形成N型或P型衬底。衬底掺杂浓度近似为1015/cm3，大致对应于N型衬底电阻率为3~5Ω.cm，P型衬底电阻率约为14~12Ω.cm ★ 多晶硅 硅除了以单晶形式存在，还以多晶的形式存在。多晶硅在MOS工艺中可作为连接电阻，特别是作为栅极的工艺成为“硅栅工艺”，硅栅工艺突出的优点是具有“自对准”功能，即以多晶硅栅极作为制作源区、漏区的“掩膜”，使源-栅、漏-栅之间的交叠达到最小，从而改善器件的性能。 杂质可以控制多晶硅的电阻率变化。在多晶硅沉淀过程中加入定量的氧氮化合物可使其部分氧化，形成半绝缘层，可用于表面“钝化”，以保护芯片表面不受“污染”。 2. 氧化工艺 ★ SiO2薄膜在集成电路中的作用 氧化工艺在集成电路制作过程中需要反复进行多次，以形成表面的SiO2薄膜，其作用有： （1）作为杂质选择扩散区域的掩膜，对不需要掺杂的区域表面用SiO2薄膜覆盖起来，阻挡杂质对这些区域的扩散和注入。 （2）作为MOS器件绝缘栅的绝缘材料成为“栅氧”，“栅氧”厚度一般低于150A（1A=10-4m） （3）作为器件与器件，层与层之间的隔离材料，成为“场氧”，“场氧”的厚度要远远大于“栅氧”的厚度，一般超过10 000A。 （4）作为器件表面的保护膜，成为“钝化”。在硅的表面覆盖一层SiO2薄膜，可以使硅表面免受后续工艺可能带来的污染及划伤，也消除了环境对硅表面的直接影响，起到钝化表面，提高集成电路可靠性、稳定性和减小噪声的作用。 （5）作为制作集成电路的“介质”等。 2. 氧化工艺 ★ 氧化工艺的方法 氧化工艺主要有 热氧化法 和 化学气相淀积法。 （1）热氧化法：分为“干氧法”和“湿氧法” 干氧法：将硅片放入高温（700~1200℃）的氧化炉中通入氧气，在氧化炉中硅表面发生氧化，生产SiO2。干氧法形成的SiO2结构致密，缺陷密度小，排列均匀重复性好。但生长速度很慢，效率低。 湿氧法：氧化炉中不仅通入氧气，还有水汽存在，在湿氧环境中生成的SiO2薄层速度很快，但质地不好，在光刻时与光刻胶接触不良，容易产生浮胶。 因此，现代氧化工艺将两者结合起来，采用“干-湿-干”交替使用。 （2）化学气相淀积： 将一种或几种化学气体，以某种方式激活后在衬底表面发生化学反应，从而在衬底表面生成SiO2，主要有用“硅烷”和“氧”反应。 3. 掺杂工艺 掺杂工艺就是半导体基底的一定区域掺入一定浓度的杂质，形成不同类型的半导体层，来制作各种元器件。掺杂工艺是集成电路制造中最主要的基础工艺之一。掺杂工艺主要有“扩散工艺”和“离子