电力电子应用技术莫正康版主编幻灯片.ppt

转移特性——IC与UGE间的关系，与MOSFET转移特性类似。 开启电压UGE(th)——IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。 UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25?C时，UGE(th)的值一般为2~6V。 输出特性（伏安特性）——以UGE为参考变量时，IC与UCE间的关系。 分为四个区域：截止区、放大区、饱和区、击穿区。 三、IGBT的主要参数 1．集射极击穿电压BUCES 2．开启电压UGE（th） ：2—6V 3．通态压降UCE（on） ：2—3V 4．最大栅射极电压UGES：＜20V 5．集电极连续电流IC和峰值电流ICM IGBT与MOSFET和GTR的比较 　　静电感应晶体管简称SIT，是一种靠场效应引起元件中导电沟道形成或消失来实现开关功能的器件。 第六节　其它新型电力电子器件 一、静电感应晶体管SIT SIT（Static Induction Transistor）——结型场效应晶体管 多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用。 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 　　静电感应晶闸管简称SITH，它是利用电场效应来控制器件的导通能力，又称为场控晶闸管。 二、静电感应晶闸管SITH SITH（Static Induction Thyristor）——又被称为场控晶闸管（Field Controlled Thyristor——FCT）。 ?比SIT多了一个具有少子注入功能的PN结， SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。 ?SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型。此外，其制造工艺比GTO复杂得多，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。 IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor）-集成门极换流晶闸管，也称GCT（Gate-Commutated Thyristor） 20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍，且可省去GTO庞大而复杂的缓冲电路，只不过所需的驱动功率仍很大。 目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置。 返回 三、MOS控制晶闸管 MCT 　　MOS控制晶闸管--MCT ，是80年代末出现的一种新型的电压控制型全控器件，它将MOSFET的高输入阻抗、快开关速度的特性与晶闸管的高压大电流特性结合在一起，产生出较理想的功率器件特性。 MCT的控制信号以阳极为基准。门极加负脉冲导通，加正脉冲关断。 MCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合 MCT结合了二者的优点： MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程。 晶闸管的高电压大电流、低导通压降。 一个MCT器件由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件。因此，20世纪80年代以来一度成为研究的热点。但经过十多年的努力，其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 与IGBT等其他电力电子器件相比，MCT具有如下优点： 1）电压、电流容量大。 2）通态压降小，约为1．IV，仅是IGBT通态压降的1／3。 3）di／dt和du／dt耐量极高，可分别达到2000A／μs和20000V／μs。 4）开关速度快，开通时间为200ns，可在2μs时间内关断1000V电压。 5）工作温度高。 四、电子注入增强型栅极晶体管 　　电子注入增强型栅极晶体管简称IEGT。它是近年来发展起来的一种IGBT派生器件。 五、功率集成电路 　　功率集成电路简称PIC，它把电力电子技术与微电子技术有机的融合在一起，将电力电子器件及其具有逻辑、控制、驱动、保护、传感、检测和自诊断等功能的电路集成在一块芯片上。 第四章 全控型电力电子器件 第一节　电力晶体管 第二节　可关断晶闸管 第三节　功率场效应晶体管 第五节　电力电子器件的缓冲电路 第四节　绝缘栅双极晶体管 第六节　其它新型电力电子器件 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型