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电子产业技术 一、研究开发技术目录 (一)0.3～0.4微米大规模集成电路技术 集成电路工业作为当今世界的一种战略工业，已成为大国地位的一个重要标志。随着微细加工技术的不断发展，集成电路和线条宽度不断缩小，集成度和性能价格比不断提高。0.3～0.4微米集成电路是继0.5微米以后的新一代超大规模集成电路，其集成度、速度、性能价格比等均得到明显提高。 0.3～0.4微米集成电路关键技术是0.3～0.4微米细线条光刻及刻蚀技术、0.3～0.4微米集成电路生产设备的开发技术、亚微米和深亚微米VLSI电路设计技术。我国在该领域的研究开发基础相当薄弱，与国际水平相比差距很大，需加大投资力度，组织力量，研制0.3～0.4微米集成电路全套制备工艺技术，开发亚微米VLSI设计技术。 国内外从事该技术研究开发的单位很多，国外几乎所有大的集成电路公司、研究所、高校等均从事该技术的研究，著名的有英特尔、IBM、摩托罗拉、西门子、东芝、伯克莱大学、三星电子等厂商，该技术在国外已逐步走向大规模生产。国内有清华大学微电子所，北京大学微电子所，华晶集团中央研究所，中科院微电子中心等。预计我国集成电路产业将于2000年前采用0.3～0.4微米集成电路工艺进行大规模生产。1996年世界半导体总产值为1460亿美元，预计到2000年可达2000亿美元。预计2000年我国集成电路市场规模为40亿块，600━800亿元。 (二)新型元器件 1、新型表面贴装元器件技术 表面贴装元器件(片式元器件)是适用于表面贴装工艺的新一代无引线电子元器件，其应用标志一个国家电子工业的组装水平，是电子装备更新换代的基础，已成为当今世界电子元器件发展的主流。表面贴装元器件主要有片式电阻、片式电感、片式电容、片式电位器和片式IC等，广泛应用于通信、计算机和广播电视产品中。其关键技术有：窄间距、高引出端的封装结构技术；低温共烧多层陶瓷基板技术(LTCC)；新型表面贴装元器件的贴装技术；浆料生产技术。 我国片式元器件产业是在八十年代彩电国产化的推动下发展起来的。到目前为止共引进了30多条生产线，年设计生产能力约100亿只。已能规模生产0805尺寸规格以下的中低频和部份高频片式陶瓷电容器及电阻器，其关键材料如陶瓷基板、电子浆料等主要依靠进口。 目前世界上发达国家电子元器件的片式化率已高达70％，全世界平均亦在40％，估计1995年全世界片式元器件产量约为2500亿只，预计2000年全世界片式元器件市场约6000亿只。而我国1995年产量约50亿只，片式化率不到10％。 2、新型光电子器件技术 新型光电子器件是新一代高性能光电子器件。在光信息传输领域，主要产品有高速宽带半导体激光器、光电二极管检测器、光电子集成单片发射与接收机，高速光波导调制器和开关；在光图象信息采集领域，重点是高清晰图像传感器，高速CCD图像传感器，高分辨率红外焦平面阵列，无致冷与多量子阱等新型焦平面阵列器件；在信息贮存领域内，重点是兰 绿光激光器。 新型光电子器件取决于系列先进工艺技术的进步和应用。美、日、英、法等国八十年代在研究领域采用亚微米微细加工技术和超薄层外延生长技术(MBE MOCVD等)，开发出以量子阱结构为代表的新一代光电子器件。目前美国贝尔实验室的高速激光器研制水平达25GHZ，美、日研制出450～500nm的兰绿光器件，美国32×32元垂直腔表面发射激光器(VCSEL)研制成功，日本公司的多量子阱超晶格APD增益带宽乘积达到100GHZ以上，波导型PIN光电二极管响应带宽乘积达到110GHZ，用于光通信的光波导调制器，研制水平达40GHZ。光电子集成发射和接收机响应频带已达到5～8GHZ，其中接收机带宽达10GHZ，还开发出4～8路的单片集成多路发射和接收机。在图像传感器方面，美、加的大面阵Si材料可见光CCD5120×5120研制成功。 国内由于技术方面的原因，在研究的深度、广度、以及器件种类和参数和国际水平差距达12～15年，主要的新型光电子器件均未取得技术突破。 新型光电子器件的主要研制单位有美国、日本、法国、英国等几十家公司，国外光电子器件市场产值已达数十亿美元，国内光电子器件仍未形成规模化生产，绝大部分市场由外来品占据，产值不足世界产值的千分之一，市场前景广阔。 3、新型电力电子器件(SIT)技术 新型电力电子器件可分为结型场控器件和绝缘栅型场控器件两大类。结型场控器件主要是指静电感应晶闸管SITH、静电感应晶体管SIT和双级模式静电感应晶体管BSIT。与传统电力器件相比，其优点在于可实现全控、工作频率高、开关速度快、易于集成、趋向智能化。 SIT类器件的研制和开发采用微电子技术与电力电子技术相结合的设计方法，关键技术包括大面积细条光刻技术、高压器件终端技术、电力器件模块封装技术、电力SIT测试技术