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9.3 CMOS制作步骤—6源/漏注入工艺 倒掺杂技术，用中等剂量的掺杂稍微超过LDD的结深， 但比最初双阱掺杂的结深浅。 9.3 CMOS制作步骤—6源/漏注入工艺 9.3 CMOS制作步骤—7接触孔的形成 目的在于在所有硅的有源区形成金属接触。大于700度时 形成TiSi2，钛和二氧化硅不反应，无需掩膜可去掉钛。 9.3 CMOS制作步骤—8局部互连工艺 晶体管和其它钛硅化物接触之间的金属连接线。首先要 求淀积一层介质薄膜，接下来CMP、patterning、 Etching、tungsten deposition，最后是金属抛光。 9.3 CMOS制作步骤—8局部互连工艺 9.3 CMOS制作步骤—8局部互连工艺 9.3 CMOS制作步骤—9通孔1和钨塞1的形成 9.3 CMOS制作步骤—9通孔1和钨塞1的形成 9.3 CMOS制作步骤—9通孔1和钨塞1的形成 Micrograph courtesy of Integrated Circuit Engineering 多晶硅栅Polysilicon LI 钨连线Tungsten LI 钨塞Tungsten plug Mag. 17,000 X 9.3 CMOS制作步骤—10第1层金属互连的形成 硅表面淀积三--层金属膜，三明治结构，构成多层金属 叠加结构中的第一层。 9.3 CMOS制作步骤—10第1层金属互连的形成 * SEM显微照片 M1 over Tungsten Vias TiN metal cap Mag. 17,000 X Tungsten plug Metal 1, Al Photo 9.5 9.3 CMOS制作步骤—11通孔2和钨塞2的形成 形成第二层层间介质2和其上的通孔2。 利用介质材料填充间隙。SOG+反刻（etchback）和高浓 度等离子体化学气相淀积。 9.3 CMOS制作步骤—11通孔2和钨塞2的形成 9.3 CMOS制作步骤—11通孔2和钨塞2的形成 9.3 CMOS制作步骤—12第2层金属互连的形成 9.3 CMOS制作步骤—12第2层金属互连的形成 9.3 CMOS制作步骤—13金属3直到压焊点及合金 9.3 CMOS制作步骤—13金属3直到压焊点及合金 9.3 CMOS制作步骤—14参数测试 第九章 作业（P 208) 2，3，4，6，11，15，16，17，18，19，24， 25，26，27，30，31 双极工艺举例 双极工艺举例 双极工艺举例 双极工艺举例 第九章 集成电路制造工艺概况 学习目标： 1、画出典型的亚微米CMOS集成电路制造流 程图 2、掌握6种主要工艺 3、描述CMOS制造工艺14个步骤的主要目的 4、讨论每一步CMOS制造流程的关键工艺和 设备 9.2 CMOS工艺流程 薄膜制作（layer） 刻印 (pattern) 刻蚀 掺杂 9.2 CMOS工艺流程 9.2.1 硅片制造厂的分区概述 Test/Sort Implant Diffusion Etch Polish Photo Completed Wafer Unpatterned Wafer Wafer Start Thin Films Wafer Fabrication (front-end) 9.2.1 硅片制造厂的分区概述—扩散 Gas flow controller Temperature controller Pressure controller Heater 1 Heater 2 Heater 3 Exhaust Process gas Quartz tube Three-zone Heating Elements Temperature- setting voltages Thermocouple measurements 9.2.1 硅片制造厂的分区概述—光刻 9.2.1 硅片制造厂的分区概述—光刻 装片台 气相成底膜 软烘 冷板 冷板 坚膜 传送台 涂胶 湿影清洗 去边 硅片传送系统 片架 步进光刻机(（对准）t/曝光系统) 9.2.1 硅片制造厂的分区概述—刻蚀 e- e- R + ? Glow discharge (plasma) Gas distribution baffle High-frequency energy Flow of byproducts and process gases Anode electrode Electromagnetic field Free electron Ion sheath Chamber wall Positive ion Etchant gas entering gas inlet RF coax cable Ph