[信息与通信]04_第3章_1.pptVIP

* 科研楼612房间 电话:E-mail: bfjia@uestc.edu.cn 微波电路与系统第三章：微波集体管放大器物理电子学院贾宝富 * 第三章 微波晶体管放大器 §3.1 微波晶体管种类与特性 §3.2 BJT硅双极型微波晶体管 §3.3 微波场效应晶体管 §3.4 异质结微波晶体管HEMT, PHEMT, HBT, Si-Ge HBT §3.5 小信号微波晶体管放大器 §3.6 放大器噪声参数 §3.7 微波晶体管放大器设计 §3.8 微波功率放大器 * §3.1微波晶体管种类与特性 BJT ------ Bipolar Junction Transistor 放大器、振荡器 双极型晶体管，Si, 0.1-3GHz，易匹配、价格低 MESFET - Metal Semiconductor Field Effect Transistor 振荡器、功放 金属半导体场效应晶体管, GaAs, 2-12GHz HEMT --- High Electron Mobility Transistor LNA 高电子迁移率晶体管, GaAs, AlGaAs, 2-40GHz PHEMT -- Pseudo HEMT LNA 假沟道高电子迁移率晶体管, GaAs, AlGaAs, 2-40GHz HBT ------ Hetero Junction Bipolar Transistor 低相噪振荡器、功放 异质结双极型晶体, GaAs, AlGaAs, 2-20GHz * Si/Ge HBT----- Si/Ge Hetero Junction Bipolar Transistor 硅-锗异质结双极型晶体管, Si, Ge, 0.1-20GHz，成本低 * DGFET ---- Double Gate GaAs FET 可控放大器、混频器 双栅场效应晶体管，GaAs , 2-20GHz * 微波晶体管用途 低噪声放大器(LNA)、功率放大器 振荡器 混频器、上变频器 开关、衰减 * §3.2 BJT硅双极型微波晶体管 特征频率 功率增益 最高振荡频率 噪声系数 晶体管的特征频率 * 特征频率 fT 5~10GHz 载流子由e向c有渡越时间?ec。 f 升高, 载流子尚未到c时，输入电压已变化，使?下降。??1时频率， 低噪声双极晶体管 微波低噪声双极晶体管最重要的电参数是功率增益Gp和噪声系数Nf。 * 1、功率增益 Gp 其它功率增益 插入增益GT 共射极接法的微波晶体管插入到特性阻抗为Zo的传输系统所提供的功率增益： 最大可用功率增益Gmax 晶体管与输入输出回路共轭匹配状态下，晶体管所能提供的最大使用功率增益 K是稳定系数 * 其它功率增益 最大单向增益Gu 忽略内部反馈（S12=0）时的最大功率增益： * * 2、噪声系数NF 噪声来源： (1) 热噪声：主要由基极电阻rb’ 引起 (2) 散粒噪声：主要是发射极、集电极电流的散粒噪声以及分配噪声(发射极电流分成Ic 和 Ib的随机起伏)组成 (3) 闪烁噪声又称 1/f 噪声：主要由载流子复合引起 * 最小噪声系数(福井公式) 转角频率： f1：低噪声管在100Hz以下 f2：f2?(0.2~0.3)fT?2~3GHz， f2以6dB/oct上升 室温290K时 噪声系数F＝总输出噪声功率/仅由信号源产生的输出噪声功率 功率双极晶体管 1、输出功率 饱和输出功率Po 线性输出功率P1dB 脉冲输出功率Pp 2、功率增益Gp 3、工作类别 甲类（A类） 乙类（B类） 丙类（C类） * * §3.3 微波场效应晶体管 *基片: 0.1~0.3mm *外延层: 0.1~0.5?m *栅极: 肖特基势垒 *源极: 欧姆接触 *漏极:欧姆接触 电压控制特性 短栅 FET的短沟道效应 FET的管芯等效电路 FET噪声 * 一、电压控制特性 Vgs控制Ids 夹断电压Vp