[信息与通信]第05章 双极型晶体管及相关器件二.pptVIP

发射区和基区中的少数载流子浓度可写为 对n-p-n型晶体管，将 代入 可得 异质结双极型晶体管 因此，由于HBT发射区和基区半导体材料的不同，它们的禁带宽度差将对HBT的电流增益造成影响，且 其中NE和EB分别是发射区和基区的掺杂浓度， NC和NV分别是导带和价带底的有效状态密度，EgE是发射区半导体的禁带宽度，NC’、NV’和EgB则是基区半导体上相应的参数. 异质结双极型晶体管 大部分HBT的技术都是在AlxGa1-xAs/GaAs材料系统中发展的，右图是一个基本n-p-n型HBT结构。n型发射区是以宽禁带的AlxGa1-xAs组成，而p型基区是以禁带宽度较窄的GaAs组成，n型集电区和n型次集电区分别以低掺杂浓度和高掺杂浓度的GaAs组成。 为了形成欧姆接触，在发射区接触和砷化铝镓层之间加了一层高掺杂浓度的n型砷化镓。因为发射区和基区材料间具有很大的禁带宽度差，共射电流增益可以提到很高。而同质结的双极型晶体管并无禁带宽度差存在，必须将发射区和基区的掺杂浓度比提到很高，这是同质结与异质结双极型晶体管最基本的不同处。 基本HBT结构 异质结双极型晶体管 ΔEV增加了射基异质结处价带势垒的高度，此效应使得HBT可以使用较高掺杂浓度的基区，而同时维持极高的发射效率和电流增益；高掺杂浓度则可降低基区的方块电阻，且基区可以做得很薄而不需担心穿通效应。穿通效应是指集基结的耗尽层往基极延伸，最后与射基结的耗尽层接触的现象。窄基区宽度可以降低基区渡越时间，且增加截止频率，这正是人们期望的特性。 右图是HBT在放大模式下的能带图，发射区和基区间的能带差在异质结界面上造成了一个能带偏移，事实上，HBT优异的特性是直接由价带在异质界面处的不连续所造成的。 异质结双极型晶体管 另一种异质结是硅/硅锗(Si/SiGe)的材料系统，此系统有几项特性在HBT的应用中非常具有吸引力。如同砷化铝镓/砷化镓HBT，硅/硅锗HBT也因禁带宽度差可重掺杂而具有高速能力。硅界面具有低陷阱密度的特性，可以减少表面复合电流，确保在低集电极电流时，仍可维持高的电流增益。另外，可与标准硅工艺技术相容也是一个深具吸引力的特性。 最近几年磷化铟(InP)系(InP/InGaAs或AlInAs/InGaAs)的材料被系统地研究，磷化铟系的异质结构有相当多的优点。InP/ InGaAs结构具有非常低的表面复合，而且InGaAs的电子迁移率较GaAs高出甚多，使其具有相当优异的高频表现，其截止频率可高达254GHz．此外，InP集电极在强电场时比GaAs集电极具有更高的漂移速率，其击穿电压亦比GaAs集电极高。 先进的HBT 异质结双极型晶体管 基极区域也可用缓变分布，以将由发射阿区到基区的禁带宽度减小，图中虚线显示缓变基区HBT的能带图，其中存在一内建电场Ebi于准中性基区内，导致少数载流子渡越时间降低，增加了HBT的共射电流增益与截止频率。 在前面基本HBT的能带图中，导带上的能带不连续ΔEC是我们所不希望的，因为此不连续迫使异质结中的载流子必须以热电子发射或隧穿的方法才能越过势垒，因而降低发射效率和集电极电流．此缺点可由缓变层和缓变基区异质结来改善。下图显示一缓变层加在射基异质结中的能带图，其中ΔEC已被消除，缓变层的厚度为Wg。 先进的HBT 异质结双极型晶体管 右图是一可控硅器件的横截面示意图，是一个四层p-n-p-n器件，由三个串接的p-n结J1、J2、J3组成。与接触电极相连的最外一p层称为阳极，另一边的n层称为阴极。这个没有额外电极的结构是个两瑞点的器件，被称为p-n-p-n二极管。若另一称为栅极的电极被连到内层的p2层，所构成的三端点器件一般称为可控硅器件。 可控硅器件是一种非常重要的功率器件，可用来作高电压和高电流的控制，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。其工作与双极型晶体管有密切的关系，传导过程皆牵涉到电子和空穴，但其开关机制和结构与双极型晶体管不同，有较宽广范围的电流、电压控制能力，其额定电流可由几毫安到超过5000A，额定电压更超过10000V。 基本特性 ： 可控硅器件及相关功率器件 图(b)是一典型的可控硅器件掺杂浓度分布图，首先选一高阻值的n型硅片当作起始材料(n层)，再以一扩散步骤同时形成p1和p2层，最后用合金或扩散，在硅片的一边形成n2层。图(c)是可控硅器件在热平衡状态下的能带图；其中每一个结都有耗尽层，其内建电势由掺杂浓度决定。 可控硅器件及相关功率器件 A K