[信息与通信]第一部分第二章电荷耦合摄像器件.pptVIP

图像传感技术 2.1 概述 突出特点:以电荷为信号的载体； 基本功能：电荷的存储和电荷的转移； 工作过程：信号电荷的产生、存储、转移和检测； 基本类型：表面沟道CCD(SCCD)-电荷包存储在半导体和 绝缘体之间的界面，并沿界面转移； 体沟道CCD(BCCD)-电荷包存储在距离半导体 表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一 定方向转移； 2.2 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)； P型半导体中杂质为周期表中第Ⅲ族的元素，空穴为多数载流子。 2.2 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)； N型半导体中杂质为周期表中第Ⅳ族的元素，电子为多数载流子。 2.2 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)； 紧密地排列在半导体氧化层表面上的金属电极能够存储和转移电荷。 2.2 电荷存储 构成CCD的基本单元是MOS(金属－氧化物－半导体)； 紧密地排列在半导体氧化层表面上的金属电极能够存储和转移电荷。 2.2 电荷存储 2.2 电荷存储 2.2 电荷存储 2.2 电荷存储 势阱中电荷的存储容量： Q=COXUG 2.2 电荷存储 势阱中电荷的存储容量： Q=COXUG 2.3 电荷耦合 2.3 电荷耦合 2.3 电荷耦合 2.3 电荷耦合 2.3 电荷耦合 CCD电极的基本结构应包括转移电极结构、转移沟道结构、信号输入单元结构和信号检测单元结构； CCD转移电极的结构很多； 必须满足使电荷定向转移和相邻势阱耦合的基本要求。 2.4.1 三相单层铝电极结构 所谓电注入就是CCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，然后将信号电压或电流转换为信号电荷注入到相应的势阱中。 1.驱动频率的下限 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t ，少数载流子的平均寿命为 ； 在信号的转移过程中，为了避免由于热激发少数载流子而对注入信号电荷的干扰，注入信号电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t必须小于少数载流子的平均寿命 ； 所以： 工作温度越高，热激发少数载流子的平均寿命越短，驱动频率的下限越高。 电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为τg ； 电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t应大于τg； 所以： 电荷自身的转移时间对驱动频率上限有限制。 N沟道CCD比P沟道CCD的工作频率高； 体沟道CCD的驱动频率要高于表面沟道CCD的驱动频率； 驱动频率上限已经有了很大的提高，为CCD在高速成像系统中的应用打下了基础。 存储于CCD的像敏单元中信号电荷包是由入射光子被硅衬底材料吸收，并被转换成少数载流子（反型层电荷）形成的，因此，它具有良好的光电转换特性。 所以，光电转换特性是线性的。 小节 作业 CCD在信号转移过程中与时钟信号没有任何电容耦合，而在输出端则不可避免； 选择合适的输出电路，尽可能地减小时钟脉冲对输出信号的容性干扰； 目前CCD主要采用电流输出方式的电路。 2.5 电荷的注入和检测 2.5.3 电荷的检测 由检测二极管、二极管的偏置电阻R、源极输出放大器和复位场效应管VR等单元构成； 信号电荷在转移脉冲的驱动下转移到最末一级转移电极CR2中； 当CR2电极上的电压由高变低时，信号电荷便通过输出栅下的势阱进入反向偏置的二极管中。 VR 2.5 电荷的注入和检测 2.5.3 电荷的检测 由电源UD、电阻R、衬底P和N+区构成的输出二极管反向偏置电路，它对于电子来说相当于一个很深的势阱； 进入方向偏置二极管中的电荷，将产生电流Id； Id的大小与注入二极管中的信号电荷量QS成正比，而与R成反比。 Qs=Iddt VR 2.5 电荷的注入和检测 2.5.3 电荷的检测 Id越大，A点电位下降得越低； 可以用A点的电位来检测注入到输出二极管中的电荷Qs； 隔直电容将A点的电位变化取出，使其通过场效应放大器的OS端输出。 VR 2.5 电荷的注入和检测 2.5.3 电荷的检测 复位场效应管VR用于对检测二极管的深势阱进行复位； 电阻R的大小对于检测的影响； 复位场效应管在复位脉冲RS的作用下使复位场效应管导通，它导通的动态电阻远小于偏置电阻的阻值，以便使输出二极管中的剩余电荷通过场效应管流入电源，使A点的电位恢复到起始的高电平，为接收新的信号电荷做好准备。 VR 2.5 电荷的注入和检测 2.5.3 电