[其它]项目二薄膜太阳电池制造工艺.ppt

知识应用 安装在阪神甲子园球场的CIGS薄膜太阳能电池（本田） 五、产品实例 知识应用 Global Solar柔性CIGS太阳电池 * 知识应用 二、非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池结构 正泰太阳能公司“非晶/微晶”高效薄膜太阳能电池内部结构示意图 玻璃 透明电极 非晶硅 p-i-n 微晶硅 p-i-n 背电极 背接触 背反射 PVB 玻璃 知识应用 第1步：衬底玻璃 第3步：激光刻划1 第4步：a-Si 沉积 第2步：前接触 第5步：μc-Si 沉积 第6步：激光刻划2 三、非晶硅/微晶硅薄膜太阳电池制造工艺 知识应用 第8步：激光刻划3 第10步：产生电流 第9步：PN 接触 第7步：背接触 工艺步骤 知识应用 非晶硅/微晶硅叠层电池的主要制备步骤简述如下： 1、沉积透明导电膜（ITO、AZO或FTO）在玻璃衬底上，使用激光光刻机对透明导电膜进行光刻分块，形成大规模集成的前电极块与块之间相互绝缘的隔离沟槽； 2、采用PECVD或VHF-PECVD来沉积顶电池，沉积压力为50-1000Pa，衬底温度为150-250℃，在透明导电膜上依次沉积p型非晶硅掺杂层、i本征非晶硅层和n型非晶硅掺杂层，制备出顶电池； 3、预热已沉积的器件，温度为180℃-250℃，沉积压力为130-1000Pa，在真空室中用PECVD或VHF-PECVD法，在中间透明反射层背面沉积微晶硅薄膜底电池； 工艺简述 知识应用 4、使用激光光刻机穿透顶电池和底电池各膜层，形成一条与穿透厚度相同的隔离沟道； 5、使用磁控溅射在底电池的N层上沉积一层透明导电膜； 6、采用磁控溅射或真空蒸发，在底电池的透明导电膜上沉积金属铝膜作为背电极； 7、使用激光刻透玻璃衬底上除前电极外所有的膜层，形成一条与穿透厚度相同的隔离沟道，该隔离沟道将各电池单元分割，制成串联电池组件 工艺简述 知识应用 正泰太阳能非晶硅/微晶硅薄膜光伏组件 四、产品实例 任务四 碲化镉薄膜太阳电池制造工艺 任务分析 碲化镉薄膜太阳能电池在工业规模上成本大大优于晶体硅和其他材料的太阳能电池技术，并且与太阳的光谱最一致，可吸收95%以上的阳光。工艺相对简单，标准工艺，低能耗，无污染，生命周期结束后，可回收，强弱光均可发电，温度越高表现越好。 任务目的 掌握碲化镉的性质及晶体结构 了解碲化镉太阳电池概况 熟悉碲化镉太阳电池结构及制造工艺 了解碲化镉太阳电池可持续发展的可能 知识应用 CdTe是一种化合物半导体，在太阳能电池中一般作吸收层。由于它的直接带隙为1.45eV，最适合于光电能量转换，因此使得约2μm厚的CdTe吸收层在其带隙以上的光学吸收率达到90%成为可能，允许的最高理论转换效率在大气质量AM1.5条件下高达28%。 一、碲化镉的性质及晶体结构 知识应用 分子式 CdTe （Cadmium telluride） 摩尔质量 240.01 g mol?1 密度 5.85 g/cm3 熔点 1092 ℃ 沸点 1130 ℃ 溶解度 insoluble 带隙 1.45 eV （300 K, 直接带隙） 折射率 (nD) 2.67 （10 μm） 化学性质 能与HCl和HBr等酸反应, 形成有毒气体碲化氢和有毒镉盐 碲化镉的性质 知识应用 Ⅱ-Ⅵ族化合物中最高的平均原子数，最低的熔点，最大的晶格常数和最大的离子性。CdTe具有闪锌矿（ZnS）结构，键长度2.806?，晶格常数6.481?。 碲化镉的晶体结构 知识应用 金属层 缓冲层 p-CdTe 玻璃基板 TCO n-CdS + - 电池结构图 二、碲化镉太阳电池结构 知识应用 基片清洗→透明导电膜处理→激光刻划Ⅰ→衬底清洗→沉积硫化镉→沉积碲化镉→热处理→制备背接触→激光刻划Ⅱ→沉积背电极→电联结→初测→封装→检测 其中的关键工艺为： 沉积硫化镉：化学浴沉积。用氯化镉、硫脲、氯化铵、胺水等，在80-90℃的温度下进行。 沉积碲化镉：近空间升华法沉积（CSS）。采用碲化镉粉作源材料，用氩气保护，在560℃左右下进行。 制备背接触：用共蒸发沉积碲化锌作背接触层，源材料分别为铜和碲化锌粉，在室温下进行真空蒸发。 背电极：用电子束蒸发镀镍作背电极。 三、碲化镉薄膜太阳电池制造工艺 四川阿波罗碲化镉薄膜太阳电池生产工艺流程图 知识应用 知识应用 Firstsolar碲化镉薄膜光伏组件 四、产品实例 知识应用 1. 碲化镉环境影响分析 镉与碲均属稀有元素，世界镉储量有180多万吨，碲储量有4-5万吨。碲化镉是半导体材料，而碲化镉薄膜太阳能电池的研究及应用是当今光伏领域的热点。碲原料稀缺，无法保证碲化镉太阳能电池的不断增产的需求。镉作为重金属是有毒的。碲化镉太阳能电池在生