接触孔版反应离子刻蚀磷硅玻璃.ppt

栅氧化，开启电压调整 多晶硅淀积 光刻4，刻NMOS管硅栅，磷离子注入形成NMOS管 光刻5，刻PMOS管硅栅，硼离子注入及推进，形成PMOS管 磷硅玻璃淀积 光刻6，刻孔、磷硅玻璃淀积回流（图中有误，没刻出孔) 蒸铝、光刻7，刻铝、光刻8，刻钝化孔（图中展示的是刻铝后的图形） 离子注入的应用 N阱硅栅CMOS工艺流程 形成N阱 初始氧化，形成缓冲层，淀积氮化硅层 光刻1，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入，先注磷31P+ ，后注砷75As+ 形成P阱 在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化 去掉光刻胶及氮化硅层 P阱离子注入，注硼 推阱 退火驱入，双阱深度约1.8μm 去掉N阱区的氧化层 形成场隔离区 生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻2场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区硼离子注入以防止场开启 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层 阈值电压调整注入 光刻3，VTP调整注入 光刻4，VTN调整注入 形成硅化物 淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层（spacer, sidewall） 淀积难熔金属Ti或Co等 低温退火，形成C-47相的TiSi2或CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co 高温退火，形成低阻稳定的TiSi2或CoSi2 形成接触孔 化学气相淀积BPTEOS硼磷硅玻璃层 退火和致密 光刻8，接触孔版 反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔 形成第一层金属 淀积金属钨(W)，形成钨塞 形成第一层金属 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻9，第一层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀金属层，形成互连图形 形成穿通接触孔 化学气相淀积PETEOS, 等离子增强正硅酸四乙酯热分解 Plasma Enhanced TEOS ：tetraethylorthosilicate [Si-(OC2H5)4] -- 通过化学机械抛光进行平坦化 光刻穿通接触孔版 反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔 形成第二层金属 淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等 光刻10，第二层金属版，定义出连线图形 反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形 合金 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅 光刻11，钝化版 刻蚀氮化硅，形成钝化图形 测试、封装，完成集成电路的制造工艺 CMOS集成电路采用(100)晶向的硅材料 4) 图解双阱硅栅CMOS制作流程 首先进行表面清洗，去除wafer表面的保护层和?杂质，三氧化二铝必须以高速粒子撞击，并?用化学溶液进行清洗。 然后在表面氧化二氧化硅膜以减小后一步氮化硅对晶圆的表面应力。? 涂覆光阻(完整过程包括，甩胶→预烘→曝光→显影→后烘→腐蚀→去除光刻胶)。其中二氧化硅以氧化形成，氮化硅LPCVD沉积形成(以氨、硅烷、乙硅烷反应生成)。 光刻技术去除不想要的部分，此步骤为定出P型阱区域。 (所谓光刻胶就是对光或电子束敏感且耐腐蚀能力强的材料，常用的光阻液有S1813,AZ5214等)。光刻胶的去除可以用臭氧烧除也可用专用剥离液。氮化硅用180℃的磷酸去除或含CF4气体的等离子刻蚀(RIE)。??????????????? ??在P阱区域植入硼(+3)离子，因硅为+4价，所以形成空洞，呈正电荷状态。(离子植入时与法线成7度角，以防止发生沟道效应，即离子不与原子碰撞而直接打入)。每次离子植入后必须进行退火处理，以恢复晶格的完整性。(但高温也影响到已完成工序所形成的格局)。?? LOCOS (local?oxidation?of?silicon)选择性氧化：湿法氧化二氧化硅层，因以氮化硅为掩模会出现鸟嘴现象，??影响尺寸的控制。二氧化硅层在向上生成的同时也向下移动，为膜厚的0.44倍，所以在去除二氧化硅层后，出现表面台阶现象。湿法氧化快于干法氧化，因OH基在硅中的扩散速度高于O2。硅膜越厚所需时间越长。?????????????????? 去除氮化硅和表面二氧化硅层。露出N型阱区?域。(上述中曝光技术光罩与基片的距离分为接触式、接近式和投影式曝光三种，常用投影式又分为等比和微缩式。曝光会有清晰度和分辩率，所以考虑到所用光线及波长、基片表面平坦度、套刻精度、膨胀系数等)。 * 栅氧化层 N阱 多晶硅 栅氧化层 N阱 N阱 NMOS管硅栅 用光刻胶做掩蔽 N阱 PMOS管硅栅 用光刻胶做掩蔽 N阱 磷硅玻璃 N阱 N阱 Vo Vin VSS VDD P-SUB 磷注入 硼注入 磷硅玻璃 PMOS管硅栅 NMOS管硅