微机电系统及其相关技术教材课程.pptVIP

《微机电系统及其相关技术》; 微机电系统是一门多学科交叉的新兴学科，它涉及精密微机械、微电子、材料科学、微细加工、系统与控制等技术科学和物理、化学、力学和生物学等若干基础学科。 微机电系统的主要特点在于：能在极小的空间里实现多种功能；可靠性好、重量小且能耗低；可以实现低成本大批量生产。 微机电系统将在21世纪的信息、生物医学等多方面导致人类认识和改造世界能力的重大突破，给国民经济以及国防建设带来深远的影响。; 二、MEMS技术的发展; MEMS在我国也得到了广泛的重视。目前，一批MEMS的研制产品如微泵、静电型微马达、电磁型微马达已获成功；MEMS的新型技术包括高深宽比微加工技术等正迅速发展。展望21世纪，我国的MEMS不仅在科研水平上，而且在产品的批量生产上也将与发达国家并驾齐驱。; 三、微机电系统的主要技术; 四、MEMS的主要材料; 五、智能系统集成;光刻工艺过程; 掺杂的主要工艺手段是扩散和离子注入。在带有掩膜的硅片表面某些区域内，刻通过此工艺来控制掺杂原子的数量，从而形成N型和P型区。通过掺杂可制备成有源器件、刻蚀终止层、导电多晶硅和微机械器件。 在高温扩散炉内，带有掺杂剂的气体通过硅片表面的现象为扩散。扩散主要有两步：预淀积和再分布。 离子注入不需高温，它通过高能束流将杂质离子直接注入到硅表面。; 金属化是指在硅片表面均匀地生长一层金属薄膜，以形成内部连线、欧姆接触和金属半导体接触，有时还起保护作用。 金属薄膜生长的方法有：真空蒸发、溅射、CVD和电镀等。 真空淀积是一种使用最广泛的淀积工艺，常用电子束轰击和电阻加热。蒸发较为困难的金属用溅射工艺比较方便。 溅射是利用氩的等离子中的正离子轰击阴极，使靶材料以原子、分子为主的粒子状态淀积在基片的表面形成薄膜。 ; 化学气相淀积也是薄膜生长技术的重要手段。其原理是：选定的化学反应物质以气态通入CVD设备，在高温下反应剂气体发生化学反应，在加热的硅片表面形成所需的薄膜。这种方法可生长???种薄膜，如金属、电介质、多晶硅和其他化合物。这种工艺薄膜的生长速率快台阶覆盖性好，生产批量大。 CVD可在常压下进行（APCVD)，也可在低压下反应（LPCVD)。 低温下可使用等离子增强化学气相淀积（PECVD）。 ; 装配和封装是IC的最后一道工序。其过程包括芯片检查、芯片固定、导线固定和封装。; 二、MEMS的硅微机械加工; 1、硅湿法腐蚀的基本原理; 除了腐蚀液，决定单晶半导体腐蚀的因素还有很多：晶体取向、导电类型、掺杂原子浓度、晶格损伤以及表面结构等。 在一定的条件下腐蚀具有一定的方向性是硅单晶片腐蚀过程中的重要特征之一。利用这种特性，可在硅基片上加工出各种各样的微结构。; 2、体硅微机械的基本结构 利用硅在KOH溶液中的各向异性腐蚀功能，可以做成各种微机械基本结构。;; 三、体硅腐蚀的自停止技术;第三章 MEMS表面微加工技术;一、表面微机械加工的基本概念;; 二、表面微机械加工应用的材料; 常用的材料组合有：多晶硅－二氧化硅,磷硅玻璃（PSG）；Si2N4－SiO2,PSG； SiO2－多晶硅；Mo－Al等。 以LPCVD淀积的多晶硅作为结构层材料，热生长或LPCVD淀积的氧化硅作为牺牲层材料已广泛用于多晶硅表面微机械。腐蚀剂HF腐蚀氧化硅不会影响多晶硅，不会浸蚀多晶硅且宜清洗。; 三、多晶硅的表面微机械加工; 1、多晶硅的淀积; 在微机械器件加工过程中，淀积后的多晶硅薄膜还要进行掺杂、氧化、退火等高温工艺。 在微机械结构中，多晶硅薄膜的残余应力显著影响器件的性能。LPCVD淀积的多晶硅多数呈压应力（成膜过程中硅晶粒长大的交互作用所致），要消除该应力，就必须在再结晶开始温度退火。; 2、原位掺杂; 3、牺牲层和绝缘层; 4、多晶硅表面微器件的设计; 5、表面微机械加工技术应用;;;;第四章 高深宽比微加工技术; LIGA是Lithografie，Galvanoformung和Abformung三个德文词的缩写，它综合了LIGA技术中的三个主要工艺：