关于LLC谐振半桥电路原理的分析以及设计时需要注意的问题.DOCVIP

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  • 2018-10-11 发布于天津
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关于LLC谐振半桥电路原理的分析以及设计时需要注意的问题.DOC

关于LLC谐振半桥电路原理的分析以及设计时需要注意的问题

关于LLC谐振半桥电路原理的分析以及设计时需要注意的问题 LLC是一种通过控制开关频率来来实现输出电压恒定的谐振电路!它的优点是:实现原边两个主MOS开关的零电压开通(ZVS)和副边整流二极管的零电流关断(ZCS),这样的话,它就可以实现高的效率. 以90W Adapter为例 Vo=18.8V Io=4.787A Vin_min=370V Vin_max=390V 其输出电压的公式: ????Vo=Vin/2n+(1/ fs-1/fr)*Im/(4nCr) Vin:输入电压,n:匝比 fs:开关频率 fr:谐振频率 Im:主电感励磁电流??Im=nVo/Lm*T/4?? T: 谐振周期????Cr:谐振电容 其证明略 从以上公式可以看出 无论是Vin或者LOAD发生了变化,通过调节开关频率能使输出电压稳定在定值。其他不变,输入电压高,则开关频率会高;输入输出电压不变,匝比越大,则开关频率越低。 因此我们在设计变压器的时候,首先要确定匝比,然后根据公式计算Lm ,Ls从而确定变压器! 接下来讨论开关频率fs和谐振频率fr是怎样影响电路工作状态的. 1)当fs=fr时:Vin=2*n*Vo 这是因为当fs=fr,此时相当于串联谐振 接着昨天第一条,当fs=fr时,此时电路相当于串联谐振,电路简化分析为输入电压为占空比为50%的矩形波,它的主电感不参与和Cr的谐振,因此其上的电压一直被钳位为nVo,分析一个阶段:当上管s1导通时,Lm上的电压为nVo,同时漏感Lk和Cr开始谐振,当上管关段,下管开通时,其谐振电流还是大于励磁电流Im(励磁电流在一个开关周期内上升到的最大值),于是谐振电流被强行归于Im.副边二极管被强行换流,变为另一个二极管电流开始导通,因此副边二极管不能实现zvs. 2)当 fmfsfr时,电路工作与真正的llc.同样分析一个开关周期:当上管s1导通时,lm被钳位为nVo,漏感Lk和Cr开始谐振,这时有一个有趣的现象,在s1导通期间,出现漏感电流Ilk等于励磁电流Im的时刻,此时,副边二极管电流n*(ILk-Im=0,相当于副边断开,于是主电路中出现lm,lr,cr一起谐振的阶段,由于lm相比来说很大,于是出现谐振的平台,这主要是因为谐振周期很长的原因.此时仍处于s1开通的过程,这个平台就相当于副边二极管电流处于了断续的过程,相当于zcs.当s1关断时,Lm又被钳位为nVo,谐振电流Ilk和励磁电流Im开始y有正变负,同时副边二极管电流又开始有零开始增加,如果在这时开通下管s2,就实现了开关管的zvs. 3)当fs0.5fr时,电路工作于第三种状态,此时相当于在一个开关周期内实现了 LLC谐振变换器与不对称半桥变换器的对比 2007-03-09 19:03:27???作者:范洪峰 杨益平 吕征宇???来源:互联网 摘要:介绍了LLC谐振变换器和不对称半桥变换器两种不同类型的软开关拓扑。分析了它们的工作原理,分别对它们的控制方法,副边整流管的电压应力和副边的开通等进行了比较,分析结果表明,LLC谐振变换器更适合高频化和高效率的要求。 关键词:LLC谐振变换器;不对称半桥变换器;电压应力 引言 随着开关电源的发展,软开关技术得到了广泛的发展和应用,已研究出了不少高效率的电路拓扑,主要为谐振型的软开关拓扑和PWM型的软开关拓扑。近几年来,随着半导体器件制造技术的发展,开关管的导通电阻,寄生电容和反向恢复时间越来越小了,这为谐振变换器的发展提供了又一次机遇。对于谐振变换器来说,如果设计得当,能实现软开关变换,从而使得开关电源具有较高的效率。 1 两种变换器的工作原理 1.1 不对称半桥变换器 图1和图2分别给出了传统的不对称半桥变换器的电路图和工作波形。图1中包括两个互补控制的功率MOSFET(S1和S2),其中S1的占空比为D,S2的占空比为(1-D);隔直电容Cb,其上电压作为S2开通时的电源;中心抽头变压器Tr,其原边匝数为Np,副边匝数分别为Ns1和Ns2;半桥全波整流二级管D1和D2;输出滤波电感Ld,电容Cf。不对称半桥(AHB)变换器的稳态工作原理如下。 图1 1)当S1导通S2关断时,变压器原边承受正向电压,副边Ns1工作;二极管D1导通,二极管D2截止; 2)当S2导通S1关断时,隔直电容Cb上的电压加在变压器的原边,副边Ns2工作,二极管D1截止。 图2中n1=Np/Ns1,n2=Np/Ns2,且n1=n2=n。通过对电路的分析,可以得到传统不对称半桥变换器占空比D的计算公式 1.2 LLC谐振变换器 图3和图4分别给出了LLC谐振变换器的电路图和工作波形。图3中包括两个功率MOSFET(S1和S2),其占空比都为0.5;谐振电容Cs,副边匝数相等的中心抽头变压器Tr,Tr

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