[工学]01-3讲义晶体管《模拟电子技术基础》童诗白_华成英南京理工大学.pptVIP

1.3 双极型三极管BJT 一、晶体管的结构及类型 二、晶体管的电流放大作用 三、晶体管的共射特性曲线 四、晶体管的主要参数 五、温度对晶体管的影响 六、光电三极管 作业1-2 P67: 1.15 P68: 1.18 ICBO：随温度的升高而增加。对硅管，该变化很小，所以对静态工作点的影响没有上两个因素重要。但对大功率硅管不能忽略。对锗管该变化也很重要。 20℃ 40℃ 20℃ 40℃ β：随温度的升高而增加，原因：温度升高，加快载流子的速度，基区复合减少，往集电区流的载流子增多。 VBE：随温度的升高而减少。 光电三极管和普通晶体管类似，也有电流放大作用。只是它的集电极电流不只是受基极电路的电流控制，也可以受光的控制。所以光敏三极管的外形，有光窗、集电极引出线、发射极引出线和基极引出线（有的没有）。制作材料一般为半导体硅，管型为NPN型，国产器件称为3DU系列。 * * 也称为晶体三极管、半导体三极管或晶体管。它是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。 按功率的大小：大功率管和小功率管; 按频率 ：高频管和低频管； 按材料 ：硅管和锗管； 按结构 ：NPN和PNP； 大面积 高浓度 薄 要使NPN型BJT正常工作，则必须： ①发射结正偏，即b和e之间加正电压VEE； ②集电结反偏，即c和e之间加正电压VCC，并且该电压大于be之间的电压VEE； 由于发射结正向偏置，因此发射区的电子扩散到基区，形成电流 IEN；基区的空穴扩散到发射区，形成 IEP；我们把这个两个电流的和称为发射极电流 IE，发射区是高浓度区，它的杂质浓度远大于基区的浓度，所以IEN起着主要作用。 由发射区注入到基区的电子称为非平衡少子，由于浓度差，继续向集电结扩散。在扩散过程中有部分电子与基区中的空穴复合而消失。由于基区很薄而且浓度低，所以只有一小部分电子与空穴复合，而绝大部分电子扩散到集电结的边缘。与空穴复合掉的电子电流记作IBN 。由于基区的空穴是由 VEE提供的，所以基极形成一个电流IB， IBN和IEP 都是IB的组成部分。 由于集电结是反向偏置的，所以基区中扩散到集电结边沿的电子在电场的作用下很容易漂移过集电结，达到集电区，成为集电极电流的组成部分，记作 ICN。 集电区和基区的少子在反向电压的作用下，形成反向饱和电流，记作 ICBO。该电流易受到温度影响，所以制造过程中尽量减小。 往外流 往里流 集电结收集的电子流是发射结发射的总电子流的一部分，常用一系数来表示，即 　　称为共基极直流电流放大系数；它恒小于1。一般为0.98~0.99。 IC和IB的比值用 表示，称为共射极直流电流放大系数。 特性曲线：晶体管的各电极电压与电流之间的关系曲线。 ? （1）输入特性曲线： 由于发射结是正向偏置的PN结，所以它的曲线与PN结的曲线相似。 uCE增加时集电结反偏，发射区进入基区的电子更多地流向集电区，因此对应于相同uBE，流向基极的电流比原来时减小。所以曲线往右移动。 （2）输出特性曲线： 发射结电压小于开启电压，且集电结反向偏置，此时 发射结电压大于开启电压，即发射结正向偏置，且集电结反向偏置，此时 发射结正向偏置，且集电结也正向偏置，此时 当υCE增加时，集电结上加的反向偏置电压也随之增加，当υCE增加到一定电压（V(BR)CEO）时，集电结被击穿， iC突然猛增。 两个结都正偏，即 VbVe、VbVc(NPN) VbVe、VbVc(PNP) 发射结正偏，集电结反偏，即 VcVbVe(NPN) VcVbVe(PNP) 发射结反偏，即 VbVe(NPN) VbVe(PNP) 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为VA=6.7V，VB=6V，VC=9V。问：硅还是锗？管子是NPN还是PNP？A、B、C分别对应哪个极？ 管子工作在放大区 A对应基极、B对应发射极 VC最大 发射极和基极的电压降的绝对值或是0.7V（硅）或是0.2V（锗） 硅管；A和B对应基极和发射极 VA-VB=0.7V C肯定是集电极 NPN在放大区时VcVbVe PNP在放大区时VcVbVe NPN 测得NPN型、硅BJT的三个电极b、e、c的对地电压分别为 (1)Vb=6.7V，Ve=6V，VC=9V (2) Vb=8V，Ve=7.3V，VC=7.6V (3) Vb=1V，Ve=2V，VC=9V 问：管子工作在输出特性曲线的什么区？ (1)发射结正偏、集电结反偏； 工作在放大区。 (