[工学]chapter3内存储器.ppt

第三章课后习题 1，2，8，9，10，12，14 9.6.3 分页模式下的地址转换 两种页大小，地址映射方式不同 4KB分页方式：页目录表和页表两级结构 4MB分页方式：单级页表结构 4MB分页方式的地址转换：高10的页号和低22位的页内偏移量构成32位线性地址；页表含1024个表项，每个表项32位 31 22 21 8 7 6 5 4 3 2 1 0 页框基址 保留 I D A PCD PWT US RW P 页表项的格式 I：指示页大小 P：出现位 A：已访问位 D：脏位 R/W：读/写控制位 U/S：用户/管理员权限控制位 4MB分页方式的地址转换 CR3——控制寄存器，指向页表 本 章 小 结 存储器的分类 多级存储体系结构——cache、主存和外存 主存储器的技术指标——存储容量、存取时间、存储周期、存储器带宽 半导体随机存取存储器 SRAM和DRAM的工作原理 存储器容量的扩充——字长位数和字存储容量扩展 只读存储器——MROM、PROM、EPROM、EEPROM、FLASH 并行存储器——双端口和多模块交叉存储器 高速缓冲存储器 程序访问的局部性、Cache的基本工作原理、和主存之间的映射方式、Cache中主存块的替换算法、Cache写策略 本 章 小 结 虚拟存储器的基本概念 实地址、虚地址、地址变换等 虚存的访问过程 Cach