[工学]嵌入式系统第五章存储器原理与扩展通工.pptVIP

第五章 存储器原理与扩展内容与要求： 1.了解存储器的分类及特性。 2.了解RAM的结构原理(静态RAM，动态RAM)。 3.了解只读ROM结构原理，PROM、EPROM、 EEPROM的工作特点。 4.掌握存储器芯片特性及与CPU的连接方法，存 储空间扩展，存储芯片的选用，控制逻辑与 总线连接逻辑。 5.1 概述： 5.1 存储器的分类： 存储器是计算机用来存储信息的部件。按存取速度和用途可把存储器分为两大类：内存储器和外存储器。把通过系统总线直接与CPU相连、具有一定容量、存取速度快的存储器称为内存储器，简称内存。 内存是计算机的重要组成部分，CPU可直接对它进行访问，计算机要执行的程序和要处理的数据等都必须事先调入内存后方可被CPU读取并执行。把通过接口电路与系统相连、存储容量大而速度较慢的存储器称为外存储器，简称外存，如硬盘、软盘和光盘等。外存用来存放当前暂不被CPU处理的程序或数据，以及一些需要永久性保存的信息。 从应用角度可将半导体存储器分为两大类：随机读写存储器RAM（Random Access Memory）和只读存储器ROM（Read Only Memory）。 RAM是可读、可写的存储器，CPU可以对RAM的内容随机地读写访问，RAM中的信息断电后即丢失。 ROM的内容只能随机读出而不能写入，断电后信息不会丢失，常用来存放不需要改变的信息（如某些系统程序），信息一旦写入就固定不变了。 5.2 RAM（随机访问存储器） 根据制造工艺的不同，随机读写存储器RAM主要有MOS（Metal Oxide Semiconductor）型和双极型两类。 双极型存储器具有存取速度快、集成度较低、功耗较大、成本较高等特点，适用于对速度要求较高的高速缓冲存储器。 MOS型存储器具有集成度高、功耗低、价格便宜等特点，适用于内存储器。 MOS型存储器按信息存放方式又可分为静态RAM ( Static RAM，简称SRAM ) 和动态RAM ( Dynamic RAM，简称DRAM)。 SRAM存储电路以双稳态触发器为基础，状态稳 定，只要不掉电，信息不会丢失。其优点是不需要刷 新，控制电路简单，但集成度较低，适用于不需要大 存储容量的计算机系统。 DRAM存储单元以电容为基础，电路简单，集成度 高，但也存在问题，即电容中的电荷由于漏电会逐渐 丢失，因此DRAM需要定时刷新，它适用于大存储容 量的计算机系统。 5.5.2 动态RAM 动态存储器和静态存储器不同，动态存储器每个存储单元 只要求一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），动 态RAM的基本存储电路利用电容存储电荷的原理来保存信息。 N-沟道MOSFET的内部结构和符号见图所示。 N-沟道 MOSFET是由N型半导体材料制成的，通常称为NMOS片。 沟道两头有两根引线叫源极和漏极。在用作放大器时， MOSFET就有电流从它的源极通过半导体沟道流到漏极，可 以用加在片子栅极上的电压来控制其导通。但在动态存储器 里，MOSFET并不用作放大器，而是用栅极电容来存储电荷。 在栅极和沟道之间是用绝缘材料二氧化硅（SiO2)来隔开的。 因此，可把MOSFET看成是一个电容器。正是这个电容用来 作为动态RAM存储单元存储二进制数据。 以这种方式存储二进制数据的明显的优点就是对于每一 个存储单元只需要一个MOSFET片。而在静态存储器里，每 个存储单元至少需要四个MOSFET片。因此，动态RAM得到 的密度至少是静态RAM的四倍，也就是说，动态RAM的存储 量至少是同样尺寸的静态RAM的四倍。所以，动态RAM的价 格大约是同样存储量的静态RAM的四分之一。 动态RAM的缺点就是存储的电荷必须定期更新。一个电 容器由于内部的泄漏而不能无限期地存储电荷。大多数动态 RAM存储的数据至少每2毫秒要更新一次。这个更新过程需要 有一个外部更新控制电路，而这部份的成本也要和动态存储器 的设计和制作的成本算在一起。 因此，对于一个小型的专用系统来说，使用静态RAM更经济，因为不需要更新电路。然而，对于一个中型的、需用较多存储器的大系统来说，操作动态RAM的位单位要更经济一些，因为更新电路的成本分担在更多的位上。一般来说，对于RAM的字节数超过4K以上的任何系统来说，便可考虑采用动态RAM。 除了考虑成本、组装密度以外，选择存储器时还要考虑的另一个重要参数即是存取时间。存取时间是表示存储速度的最标准的参数。它表示，存储器对于数据请求的响应有多快的一个时间间隔。存取时间通常用符号Ta或tacc来表示，定义为：一旦相应的地址和片选输入加到该器件上后，存储器提供