[工学]微机原理与接口技术田辉第6章.pptVIP

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2018-03-27 发布于浙江
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[工学]微机原理与接口技术田辉第6章.ppt

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[工学]微机原理与接口技术田辉第6章

微机原理与接口技术;可以分为双极型和金属氧化物半导体型两类。（1）双极型双极型由TTL晶体管逻辑电路构成，在微机系统中常用作高速缓存器（Cache）。特点：工作速度快，与CPU处在同一量级；集成度较低、功耗大、价格偏高。（2）金属氧化物半导体型金属氧化物半导体型又称MOS型，在微机系统中主要用来构造内存。根据制造工艺，可分为NMOS、HMOS、CMOS、CHMOS等，可用来制作多种半导体存储器件，如静态RAM、动态RAM、EPROM等。特点是集成度高、功耗低、价格便宜，但速度较双极型器件慢。;按存储器存取方式分类：;随机存取存储器RAM ;静态RAM;随机存取存储器RAM;只读存储器ROM ;半导体存储器的主要性能指标 ;半导体存储器的主要性能指标;半导体存储器的主要性能指标;半导体存储器的结构 ; 随机存储器（RAM） ;典型的静态RAM芯片;6116;SRAM 6116的引脚 ;SRAM 6116的工作方式 ;SRAM 6116的内部功能框图 ;SRAM 6264 ;SRAM 6264 ;随机存储器RAM;动态随机存储器（DRAM）;典型的动态RAM芯片;DRAM——Intel 2164 ;Intel 2164A的引脚;2164结构框图;只读存储器（ROM）;可擦可编程ROM（EPROM）;典型的EPROM芯片 ;Intel 2732A ;2732A的工作方式 ;存储器系统设计;存储器系统设计 ;主存储器设计;主存储器设计;用Intel 2148 1K×4位的RAM芯片组成1K×8位的存储器 ;主存储器设计;主存储器设计;地址线的连接;主存储器设计;线选法存储器译码电路 ;主存储器设计;线选法;主存储器设计;部分译码寻址存储器;主存储器设计;主存储器设计;;主存储器设计;主存储器设计;高速缓存（Cache);Cache工作原理;例如：RAM的存取时间为80ns，CACHE的存取时间为6ns，CACHE的命中率为90%。则存储器整体访问时间由没有CACHE的80ns减少为： 6ns×90% + 80ns×10% = 13.4ns 在一定的范围内，Cache越大，命中率就越高，但相应成本也相应提高 Cache与内存的空间比一般为1?128 ; 虚拟缓存技术 ;虚拟缓存技术